參數資料
型號： HYB 514400BJ-50
廠商： SIEMENS AG
英文描述： 4M × 1-Bit Dynamic RAM(4M × 1位動態(tài)RAM)
中文描述： 4米× 1位動態(tài)隨機存儲器（4米× 1位動態(tài)內存）
文件頁數： 13/24頁
文件大小： 124K
代理商： HYB 514400BJ-50
HYB 514400BJ-50/-60
1M
×
4 DRAM
Semiconductor Group
13
1998-10-01
Read-Write (Read-Modify-Write) Cycle
SPT03028
"H" or "L"
AWD
OEA
CSH
RWD
OH
I/O
(Outputs)
V
OL
(Inputs)
I/O
IL
V
V
V
IH
OE
WE
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
RAC
t
t
DZC
t
DZO
t
CLZ
t
CAC
t
RCS
t
AA
t
V
Address
V
IL
V
IH
CAS
RAS
IH
V
IL
V
V
IL
IH
RAH
Row
ASR
t
t
RAD
t
Column
ASC
t
t
t
CAH
t
RCD
t
t
t
WP
Data
OUT
DS
ODD
OEZ
t
t
t
t
Data IN
Valid
t
DH
OEH
Row
t
CWD
t
CAS
t
t
RSH
RWL
t
t
CWL
ASR
t
CRP
t
RP
t
RWC
t
RAS
相關PDF資料
PDF描述
HYB514400BJ-50 Connector Cover; Leaded Process Compatible:No; Enclosure Color:Gray; For Use With:SB 120 Connector; Peak Reflow Compatible (260 C):No RoHS Compliant: Yes
HYB514400BJ-80 1M x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 1M x 4-Bit Dynamic RAM
HYB514400BT-60 1M x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 1M x 4-Bit Dynamic RAM
HYB514400BT-70 RP12 (A) Series - Powerline Regulated DC-DC Converters; Input Voltage (Vdc): 24V; Output Voltage (Vdc): 3.3V; 2:1 Wide Input Voltage Range; 12 Watts Output Power; 1.6kVDC Isolation; UL Certified; Over Current Protection; Five-Sided Shield; Standard DIP24 and SMD-Pinning; Efficiency to 88%
HYB 514400BJ-60 4M × 1-Bit Dynamic RAM(4M × 1位動態(tài)RAM)
相關代理商/技術參數
參數描述
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