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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HY62SF16806B |
| 英文描述： | x16|1.8V|70/85/100|Super Low Power Slow SRAM - 8M |
| 中文描述： | x16 | 1.8 | 70/85/100 |超級(jí)低功耗SRAM的速度慢- 800萬(wàn) |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/10頁(yè) |
| 文件大小： | 188K |
| 代理商： | HY62SF16806B |
HY62SF16403A Series
Rev.11 / Jun.01
5
TIMING DIAGRAM
READ CYCLE 1 (Note 1,4)
READ CYCLE 2 (Note 1,2,4)
tRC
tAA
Data Valid
Previous Data
tOH
ADDR
Data
Out
READ CYCLE 3(Note 1,2,4)
/CS
/UB, /LB
tACS
Data Valid
tCLZ(3)
tCHZ(3)
Data
Out
Notes:
1. A read occurs during the overlap of a low /OE, a high /WE, a low /CS and /UB and/or /LB .
2. /OE = VIL
3. Transition is measured + 200mV from steady state voltage.
This parameter is sampled and not 100% tested.
4. /CS in high for the standby, low for active
/UB and /LB in high for the standby, low for active
ADDR
tRC
/CS
tAA
tACS
tOH
Data Valid
High-Z
Data
Out
/UB ,/ LB
/OE
tBA
tOE
tCLZ(3)
tBLZ(3)
tOLZ(3)
tCHZ(3)
tBHZ(3)
tOHZ(3)
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