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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HY628400A |
| 英文描述： | 512Kx8bit CMOS SRAM(512Kx8位 CMOS 靜態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 512Kx8bit的CMOS的SRAM（512Kx8位的CMOS靜態(tài)RAM）的 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/9頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 130K |
| 代理商： | HY628400A |
HY628400A Series
Rev.03 / Jun. 2000
6
WRITE CYCLE 1(1,4,5,9) (/WE Controlled)
WRITE CYCLE 2 (Note 1,4,5,9) (/CS Controlled)
Data Valid
ADDR
Data
Out
/CS
/WE
tWC
tCW
tWR
(2)
tAW
tWP
Data In
High-Z
tAS
tWHZ
(3,8)
tDW
tDH
tOW
(6)
(7)
Data Valid
ADDR
Data
Out
/CS
/WE
tWC
tCW
tWR
(2)
tAW
tWP
Data In
tDW
tDH
High-Z
High-Z
tAS
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| HY628400ALG-E | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512K x8 bit 5.0V Low Power CMOS slow SRAM |
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