- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄385427 > HY5DU56822DTP-L (HYNIX SEMICONDUCTOR INC) 256M DDR SDRAM (268,435,456-bit CMOS Double Data Rate(DDR) Synchronous DRAM) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | HY5DU56822DTP-L |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 256M DDR SDRAM (268,435,456-bit CMOS Double Data Rate(DDR) Synchronous DRAM) |
| 中文描述： | 32M X 8 DDR DRAM, 0.75 ns, PDSO66 |
| 封裝： | 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-66 |
| 文件頁數(shù)： | 28/37頁 |
| 文件大小： | 414K |
| 代理商： | HY5DU56822DTP-L |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁當前第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁
Rev. 0.1 /May 2004 28
HY5DU56422D(L)TP
HY5DU56822D(L)TP
HY5DU561622D(L)TP
AC OPERATING CONDITIONS
(TA=0 to 70
o
C, Voltage referenced to V
SS
= 0V)
Note :
1. VID is the magnitude of the difference between the input level on CK and the input on /CK.
2. The value of VIX is expected to equal 0.5*V DDQ of the transmitting device and must track variations in the DC level of the same.
AC OPERATING TEST CONDITIONS
(TA=0 to 70
o
C, Voltage referenced to VSS = 0V)
Parameter
Symbol
Min
Max
Unit
Note
Input High (Logic 1) Voltage, DQ, DQS and DM signals
V
IH(AC)
V
REF
+ 0.31
V
Input Low (Logic 0) Voltage, DQ, DQS and DM signals
V
IL(AC)
V
REF
- 0.31
V
Input Differential Voltage, CK and /CK inputs
V
ID(AC)
0.7
V
DDQ
+ 0.6
V
1
Input Crossing Point Voltage, CK and /CK inputs
V
IX(AC)
0.5*V
DDQ
-0.2
0.5*V
DDQ
+0.2
V
2
Parameter
Value
Unit
Reference Voltage
V
DDQ
x 0.5
V
Termination Voltage
V
DDQ
x 0.5
V
AC Input High Level Voltage (V
IH
, min)
V
REF
+ 0.31
V
AC Input Low Level Voltage (V
IL
, max)
V
REF
- 0.31
V
Input Timing Measurement Reference Level Voltage
V
REF
V
Output Timing Measurement Reference Level Voltage
V
TT
V
Input Signal maximum peak swing
1.5
V
Input minimum Signal Slew Rate
1
V/ns
Termination Resistor (R
T
)
50
Series Resistor (R
S
)
25
Output Load Capacitance for Access Time Measurement (C
L
)
30
pF
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY5DU56822DTP-M | 256M DDR SDRAM (268,435,456-bit CMOS Double Data Rate(DDR) Synchronous DRAM) |
| HY5DU56822DTP-X | 256M DDR SDRAM (268,435,456-bit CMOS Double Data Rate(DDR) Synchronous DRAM) |
| HY5DU561622EFP | 256Mb DDR SDRAM |
| HY5DU561622ELFP | 256Mb DDR SDRAM |
| HY5DU561622ELFP-D43 | 256Mb DDR SDRAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY5DU56822DTP-M | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:256M DDR SDRAM (268,435,456-bit CMOS Double Data Rate(DDR) Synchronous DRAM) |
| HY5DU56822DTP-X | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:256M DDR SDRAM (268,435,456-bit CMOS Double Data Rate(DDR) Synchronous DRAM) |
| HY5DU56822EFP | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:256Mb DDR SDRAM |
| HY5DU56822EFP-D43 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:256Mb DDR SDRAM |
| HY5DU56822EFP-H | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:256Mb DDR SDRAM |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。