參數(shù)資料
型號(hào)： HY5DU56822DLTP
廠商： Hynix Semiconductor Inc.
英文描述： 256M DDR SDRAM (268,435,456-bit CMOS Double Data Rate(DDR) Synchronous DRAM)
中文描述： 256M DDR內(nèi)存（268435456位CMOS雙數(shù)據(jù)速率（DDR）同步DRAM）
文件頁(yè)數(shù)： 33/37頁(yè)
文件大?。?/td> 414K
代理商： HY5DU56822DLTP
Rev. 0.1 /May 2004 33
HY5DU56422D(L)TP
HY5DU56822D(L)TP
HY5DU561622D(L)TP
Input Setup Time (fast slew rate)
t
IS
0.9
-
0.9
-
1.1
-
ns
2,3,5,
6
Input Hold Time (fast slew rate)
t
IH
0.9
-
0.9
-
1.1
-
ns
Input Setup Time (slow slew rate)
t
IS
1.0
-
1.0
-
1.1
-
ns
2,4,5,
6
Input Hold Time (slow slew rate)
t
IH
1.0
-
1.0
-
1.1
-
ns
Input Pulse Width
t
IPW
2.2
-
2.2
-
2.5
-
ns
6
Write DQS High Level Width
t
DQSH
0.35
-
0.35
-
0.35
-
CK
Write DQS Low Level Width
t
DQSL
0.35
-
0.35
-
0.35
-
CK
Clock to First Rising edge of DQS-In
t
DQSS
0.75
1.25
0.75
1.25
0.75
1.25
CK
Data-In Setup Time to DQS-In (DQ & DM)
t
DS
0.5
-
0.5
-
0.6
-
ns
6,7,
11,12
,13
Data-in Hold Time to DQS-In (DQ & DM)
t
DH
0.5
-
0.5
-
0.6
-
ns
DQ & DM Input Pulse Width
t
DIPW
1.75
-
1.75
-
2
-
ns
Read DQS Preamble Time
t
RPRE
0.9
1.1
0.9
1.1
0.9
1.1
CK
Read DQS Postamble Time
t
RPST
0.4
0.6
0.4
0.6
0.4
0.6
CK
Write DQS Preamble Setup Time
t
WPRES
0
-
0
-
0
-
CK
Write DQS Preamble Hold Time
t
WPREH
0.25
-
0.25
-
0.25
-
CK
Write DQS Postamble Time
t
WPST
0.4
0.6
0.4
0.6
0.4
0.6
CK
Mode Register Set Delay
t
MRD
2
-
2
-
2
-
CK
Exit Self Refresh to Any Execute Command
t
XSC
200
-
200
-
200
-
CK
8
Average Periodic Refresh Interval
t
REFI
-
7.8
-
7.8
-
7.8
us
Parameter
Symbol
DDR266A
DDR266B
DDR200
Unit
Note
Min
Max
Min
Max
Min
Max
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HY5DU56822DLTP-H 256M DDR SDRAM (268,435,456-bit CMOS Double Data Rate(DDR) Synchronous DRAM)
HY5DU56822DLTP-J 256M DDR SDRAM (268,435,456-bit CMOS Double Data Rate(DDR) Synchronous DRAM)
HY5DU56822DLTP-K 256M DDR SDRAM (268,435,456-bit CMOS Double Data Rate(DDR) Synchronous DRAM)
HY5DU56822DLTP-L 256M DDR SDRAM (268,435,456-bit CMOS Double Data Rate(DDR) Synchronous DRAM)
HY5DU56822DLTP-M 256M DDR SDRAM (268,435,456-bit CMOS Double Data Rate(DDR) Synchronous DRAM)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HY5DU56822DLTP-H 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:256M DDR SDRAM (268,435,456-bit CMOS Double Data Rate(DDR) Synchronous DRAM)
HY5DU56822DLTP-J 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:256M DDR SDRAM (268,435,456-bit CMOS Double Data Rate(DDR) Synchronous DRAM)
HY5DU56822DLTP-K 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:256M DDR SDRAM (268,435,456-bit CMOS Double Data Rate(DDR) Synchronous DRAM)
HY5DU56822DLTP-L 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:256M DDR SDRAM (268,435,456-bit CMOS Double Data Rate(DDR) Synchronous DRAM)
HY5DU56822DLTP-M 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:256M DDR SDRAM (268,435,456-bit CMOS Double Data Rate(DDR) Synchronous DRAM)
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