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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HY5DU56822DLTP-H |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 256M DDR SDRAM (268,435,456-bit CMOS Double Data Rate(DDR) Synchronous DRAM) |
| 中文描述： | 32M X 8 DDR DRAM, 0.75 ns, PDSO66 |
| 封裝： | 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-66 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 11/37頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 414K |
| 代理商： | HY5DU56822DLTP-H |
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Rev. 0.1 /May 2004 11
HY5DU56422D(L)TP
HY5DU56822D(L)TP
HY5DU561622D(L)TP
OPERATION COMMAND TRUTH TABLE-II
Current
State
/CS
/RAS
/CAS
/WE
Address
Command
Action
WRITE
L
L
H
H
BA, RA
ACT
ILLEGAL
4
L
L
H
L
BA, AP
PRE/PALL
Term burst, precharge
L
L
L
H
X
AREF/SREF
ILLEGAL
11
L
L
L
L
OPCODE
MRS
ILLEGAL
11
READ
WITH
AUTOPRE-
CHARGE
H
X
X
X
X
DSEL
Continue burst to end
L
H
H
H
X
NOP
Continue burst to end
L
H
H
L
X
BST
ILLEGAL
L
H
L
H
BA, CA, AP
READ/READAP
ILLEGAL
10
L
H
L
L
BA, CA, AP
WRITE/WRITEAP
ILLEGAL
10
L
L
H
H
BA, RA
ACT
ILLEGAL
4,10
L
L
H
L
BA, AP
PRE/PALL
ILLEGAL
4,10
L
L
L
H
X
AREF/SREF
ILLEGAL
11
L
L
L
L
OPCODE
MRS
ILLEGAL
11
WRITE
AUTOPRE-
CHARGE
H
X
X
X
X
DSEL
Continue burst to end
L
H
H
H
X
NOP
Continue burst to end
L
H
H
L
X
BST
ILLEGAL
L
H
L
H
BA, CA, AP
READ/READAP
ILLEGAL
10
L
H
L
L
BA, CA, AP
WRITE/WRITEAP
ILLEGAL
10
L
L
H
H
BA, RA
ACT
ILLEGAL
4,10
L
L
H
L
BA, AP
PRE/PALL
ILLEGAL
4,10
L
L
L
H
X
AREF/SREF
ILLEGAL
11
L
L
L
L
OPCODE
MRS
ILLEGAL
11
PRE-
CHARGE
H
X
X
X
X
DSEL
NOP-Enter IDLE after tRP
L
H
H
H
X
NOP
NOP-Enter IDLE after tRP
L
H
H
L
X
BST
ILLEGAL
4
L
H
L
H
BA, CA, AP
READ/READAP
ILLEGAL
4,10
L
H
L
L
BA, CA, AP
WRITE/WRITEAP
ILLEGAL
4,10
L
L
H
H
BA, RA
ACT
ILLEGAL
4,10
L
L
H
L
BA, AP
PRE/PALL
NOP-Enter IDLE after tRP
L
L
L
H
X
AREF/SREF
ILLEGAL
11
L
L
L
L
OPCODE
MRS
ILLEGAL
11
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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