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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HY5DU56422DTP-J |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 256M DDR SDRAM (268,435,456-bit CMOS Double Data Rate(DDR) Synchronous DRAM) |
| 中文描述： | 64M X 4 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66 |
| 封裝： | 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-66 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 9/37頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 414K |
| 代理商： | HY5DU56422DTP-J |
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Rev. 0.1 /May 2004 9
HY5DU56422D(L)TP
HY5DU56822D(L)TP
HY5DU561622D(L)TP
WRITE MASK TRUTH TABLE
Function
CKEn-1
CKEn
/CS, /RAS, /CAS, /WE
DM
ADD
R
A10/
AP
BA
Note
Data Write
H
X
X
L
X
1
Data-In Mask
H
X
X
H
X
1
Note :
1.
Write Mask command masks burst write data with reference to LDQS/UDQS(Data Strobes) and it is not related
with read data. In case of x16 data I/O, LDM and UDM control lower byte(DQ0~7) and Upper byte(DQ8~15)
respectively.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY5DU56422DTP-K | 256M DDR SDRAM (268,435,456-bit CMOS Double Data Rate(DDR) Synchronous DRAM) |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY5DU56422DTP-K | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:256M DDR SDRAM (268,435,456-bit CMOS Double Data Rate(DDR) Synchronous DRAM) |
| HY5DU56422DTP-L | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:256M DDR SDRAM (268,435,456-bit CMOS Double Data Rate(DDR) Synchronous DRAM) |
| HY5DU56422DTP-M | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:256M DDR SDRAM (268,435,456-bit CMOS Double Data Rate(DDR) Synchronous DRAM) |
| HY5DU56422DTP-X | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:256M DDR SDRAM (268,435,456-bit CMOS Double Data Rate(DDR) Synchronous DRAM) |
| HY5DU56422LT | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:64Mx4|2.5V|8K|K/H/L|DDR SDRAM - 256M |
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