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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HY5DU56422DLTP-X |
| 廠商： | Hynix Semiconductor Inc. |
| 英文描述： | 256M DDR SDRAM (268,435,456-bit CMOS Double Data Rate(DDR) Synchronous DRAM) |
| 中文描述： | 256M DDR內(nèi)存（268435456位CMOS雙數(shù)據(jù)速率（DDR）同步DRAM） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 12/37頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 414K |
| 代理商： | HY5DU56422DLTP-X |
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Rev. 0.1 /May 2004 12
HY5DU56422D(L)TP
HY5DU56822D(L)TP
HY5DU561622D(L)TP
OPERATION COMMAND TRUTH TABLE-III
Current
State
/CS
/RAS
/CAS
/WE
Address
Command
Action
ROW
ACTIVATING
H
X
X
X
X
DSEL
NOP - Enter ROW ACT after tRCD
L
H
H
H
X
NOP
NOP - Enter ROW ACT after tRCD
L
H
H
L
X
BST
ILLEGAL
4
L
H
L
H
BA, CA, AP
READ/READAP
ILLEGAL
4,10
L
H
L
L
BA, CA, AP
WRITE/WRITEAP
ILLEGAL
4,10
L
L
H
H
BA, RA
ACT
ILLEGAL
4,9,10
L
L
H
L
BA, AP
PRE/PALL
ILLEGAL
4,10
L
L
L
H
X
AREF/SREF
ILLEGAL
11
L
L
L
L
OPCODE
MRS
ILLEGAL
11
WRITE
RECOVERING
H
X
X
X
X
DSEL
NOP - Enter ROW ACT after tWR
L
H
H
H
X
NOP
NOP - Enter ROW ACT after tWR
L
H
H
L
X
BST
ILLEGAL
4
L
H
L
H
BA, CA, AP
READ/READAP
ILLEGAL
L
H
L
L
BA, CA, AP
WRITE/WRITEAP
ILLEGAL
L
L
H
H
BA, RA
ACT
ILLEGAL
4,10
L
L
H
L
BA, AP
PRE/PALL
ILLEGAL
4,11
L
L
L
H
X
AREF/SREF
ILLEGAL
11
L
L
L
L
OPCODE
MRS
ILLEGAL
11
WRITE
RECOVERING
WITH
AUTOPRE-
CHARGE
H
X
X
X
X
DSEL
NOP - Enter precharge after tDPL
L
H
H
H
X
NOP
NOP - Enter precharge after tDPL
L
H
H
L
X
BST
ILLEGAL
4
L
H
L
H
BA, CA, AP
READ/READAP
ILLEGAL
4,8,10
L
H
L
L
BA, CA, AP
WRITE/WRITEAP
ILLEGAL
4,10
L
L
H
H
BA, RA
ACT
ILLEGAL
4,10
L
L
H
L
BA, AP
PRE/PALL
ILLEGAL
4,11
L
L
L
H
X
AREF/SREF
ILLEGAL
11
L
L
L
L
OPCODE
MRS
ILLEGAL
11
REFRESHING
H
X
X
X
X
DSEL
NOP - Enter IDLE after tRC
L
H
H
H
X
NOP
NOP - Enter IDLE after tRC
L
H
H
L
X
BST
ILLEGAL
11
L
H
L
H
BA, CA, AP
READ/READAP
ILLEGAL
11
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| HY5DU56422DTP | 256M DDR SDRAM (268,435,456-bit CMOS Double Data Rate(DDR) Synchronous DRAM) |
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| HY5DU56422DTP-K | 256M DDR SDRAM (268,435,456-bit CMOS Double Data Rate(DDR) Synchronous DRAM) |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| HY5DU56422DTP-H | 制造商:HYNIX 制造商全稱(chēng):Hynix Semiconductor 功能描述:256M DDR SDRAM (268,435,456-bit CMOS Double Data Rate(DDR) Synchronous DRAM) |
| HY5DU56422DTP-J | 制造商:HYNIX 制造商全稱(chēng):Hynix Semiconductor 功能描述:256M DDR SDRAM (268,435,456-bit CMOS Double Data Rate(DDR) Synchronous DRAM) |
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