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參數資料
| 型號： | HY5DU561622DTP-L |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 256M DDR SDRAM (268,435,456-bit CMOS Double Data Rate(DDR) Synchronous DRAM) |
| 中文描述： | 16M X 16 DDR DRAM, 0.75 ns, PDSO66 |
| 封裝： | 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-66 |
| 文件頁數： | 9/37頁 |
| 文件大小： | 414K |
| 代理商： | HY5DU561622DTP-L |
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Rev. 0.1 /May 2004 9
HY5DU56422D(L)TP
HY5DU56822D(L)TP
HY5DU561622D(L)TP
WRITE MASK TRUTH TABLE
Function
CKEn-1
CKEn
/CS, /RAS, /CAS, /WE
DM
ADD
R
A10/
AP
BA
Note
Data Write
H
X
X
L
X
1
Data-In Mask
H
X
X
H
X
1
Note :
1.
Write Mask command masks burst write data with reference to LDQS/UDQS(Data Strobes) and it is not related
with read data. In case of x16 data I/O, LDM and UDM control lower byte(DQ0~7) and Upper byte(DQ8~15)
respectively.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY5DU561622DTP-M | 256M DDR SDRAM (268,435,456-bit CMOS Double Data Rate(DDR) Synchronous DRAM) |
| HY5DU561622DTP-X | 256M DDR SDRAM (268,435,456-bit CMOS Double Data Rate(DDR) Synchronous DRAM) |
| HY5DU56422DLTP | 256M DDR SDRAM (268,435,456-bit CMOS Double Data Rate(DDR) Synchronous DRAM) |
| HY5DU56422DLTP-H | 256M DDR SDRAM (268,435,456-bit CMOS Double Data Rate(DDR) Synchronous DRAM) |
| HY5DU56422DLTP-J | 256M DDR SDRAM (268,435,456-bit CMOS Double Data Rate(DDR) Synchronous DRAM) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| HY5DU561622DTP-M | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:256M DDR SDRAM (268,435,456-bit CMOS Double Data Rate(DDR) Synchronous DRAM) |
| HY5DU561622DTP-X | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:256M DDR SDRAM (268,435,456-bit CMOS Double Data Rate(DDR) Synchronous DRAM) |
| HY5DU561622EFP | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:256Mb DDR SDRAM |
| HY5DU561622EFP-D43-C | 制造商:SK Hynix Inc 功能描述: |
| HY5DU561622EFP-D43DR-C | 制造商:SK Hynix Inc 功能描述: |
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