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參數(shù)資料
| 型號： | HY5DS113222FM |
| 廠商： | Hynix Semiconductor Inc. |
| 英文描述： | 512M(16Mx32) GDDR SDRAM |
| 中文描述： | 512M（16Mx32）GDDR SDRAM內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 8/30頁 |
| 文件大?。?/td> | 431K |
| 代理商： | HY5DS113222FM |
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Rev. 0.1 / Oct. 2004
8
HY5DS113222FM(P)
WRITE MASK TRUTH TABLE
Function
CKEn-1
CKEn
/CS0, /CS1, /RAS,
/CAS, /WE
DM(0~3)
ADDR
A8/
AP
BA
Note
Data Write
H
X
X
L
X
1,2
Data-In Mask
H
X
X
H
X
1,2
Note :
1. Write Mask command masks burst write data with reference to DQS(0~3) and it is not related with read data.
2. DM0 corresponds to the data on DQ0-Q7; DM1 corresponds to the data on DQ8-Q15; DM2 corresponds to the data on DQ16-Q23;
DM3 corresponds to the data on DQ24-Q31.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY5DS113222FM-28 | 512M(16Mx32) GDDR SDRAM |
| HY5DS113222FM-33 | 512M(16Mx32) GDDR SDRAM |
| HY5DS113222FM-36 | 512M(16Mx32) GDDR SDRAM |
| HY5DS113222FM-4 | 512M(16Mx32) GDDR SDRAM |
| HY5DS113222FMP-28 | 512M(16Mx32) GDDR SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY5DS113222FM-28 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512M(16Mx32) GDDR SDRAM |
| HY5DS113222FM-33 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512M(16Mx32) GDDR SDRAM |
| HY5DS113222FM-36 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512M(16Mx32) GDDR SDRAM |
| HY5DS113222FM-4 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512M(16Mx32) GDDR SDRAM |
| HY5DS113222FMP-28 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512M(16Mx32) GDDR SDRAM |
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