- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄385424 > HY57V653220BTC-7 (HYNIX SEMICONDUCTOR INC) 4 Banks x 512K x 32Bit Synchronous DRAM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | HY57V653220BTC-7 |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4 Banks x 512K x 32Bit Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 2M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PDSO86 |
| 封裝： | 0.400 X 0.875 INCH, 0.50 MM PITCH, TSOP2-86 |
| 文件頁數(shù)： | 8/12頁 |
| 文件大小： | 154K |
| 代理商： | HY57V653220BTC-7 |
Rev.1.6/Dec. 01
8
HY57V653220B
AC CHARACTERISTICS II
(AC operating conditions unless otherwise noted)
Note :
1. A new command can be given tRRC after self refresh exit
Parameter
Symbol
-5
-55
-6
-7
-8
-10P
-10
Unit
Note
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
RAS cycle time
Operation
tRC
55
-
55
-
60
-
63
-
68
-
70
-
70
-
ns
Auto Refresh
tRRC
55
-
55
-
60
-
63
-
68
-
70
-
70
-
ns
RAS to CAS delay
tRCD
15
-
16.5
-
18
-
20
-
20
-
20
-
20
-
ns
RAS active time
tRAS
40
100K
38.5
100K
42
100K
42
100K
48
100K
50
100K
50
100K
ns
RAS precharge time
tRP
15
-
16.5
-
18
-
20
-
20
-
20
-
20
-
ns
RAS to RAS bank active delay
tRRD
10
-
11
-
12
-
14
-
16
-
20
-
20
-
ns
CAS to CAS delay
tCCD
1
-
1
-
1
-
1
-
1
-
1
-
1
-
CLK
Write command to data-in delay
tWTL
0
-
0
-
0
-
0
-
0
-
0
-
0
-
CLK
Data-in to precharge command
tDPL
1
-
1
-
1
-
1
-
1
-
1
-
1
-
CLK
Data-in to active command
tDAL
4
-
4
-
4
-
4
-
4
-
4
-
4
-
CLK
DQM to data-out Hi-Z
tDQZ
2
-
2
-
2
-
2
-
2
-
2
-
2
-
CLK
DQM to data-in mask
tDQM
0
-
0
-
0
-
0
-
0
-
0
-
0
-
CLK
MRS to new command
tMRD
2
-
2
-
2
-
2
-
2
-
2
-
2
-
CLK
Precharge to
data output Hi-Z
CAS Latency =
3
tPROZ3
3
-
3
-
3
-
3
-
3
-
3
-
3
-
CLK
CAS Latency =
2
tPROZ2
2
-
2
-
2
-
2
-
2
-
2
-
2
-
CLK
Power down exit time
tPDE
1
-
1
-
1
-
1
-
1
-
1
-
1
-
CLK
Self refresh exit time
tSRE
1
-
1
-
1
-
1
-
1
-
1
-
1
-
CLK
1
Refresh Time
tREF
-
64
-
64
-
64
-
64
-
64
-
64
-
64
ms
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY57V653220BTC-8 | 4 Banks x 512K x 32Bit Synchronous DRAM |
| HY57V658010 | 8Mx8 bit Synchronous DRAM Series |
| HY57V648010 | 8Mx8 bit Synchronous DRAM Series |
| HY57V648011 | 8Mx8 bit Synchronous DRAM Series |
| HY57V648020 | CAP 0.1UF 16V 10% X7R SMD-0603 T&R-7IN-PA NI-SN |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY57V653220BTC-7I | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x32 SDRAM |
| HY57V653220BTC-8 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 512K x 32Bit Synchronous DRAM |
| HY57V653220BTC-I | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:2Mx32|3.3V|4K|5/55/6|SDR SDRAM - 64M |
| HY57V65322OBTC6 | 制造商:HYUNDAI 功能描述:* |
| HY57V654010TC-10 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 SDRAM |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。