參數(shù)資料
型號(hào)： HY57V643220CT-5
廠商： HYNIX SEMICONDUCTOR INC
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： 4 Banks x 512K x 32Bit Synchronous DRAM
中文描述： 2M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 4.5 ns, PDSO86
封裝： 0.400 X 0.875 INCH, 0.5 MM PITCH, TSOP2-86
文件頁(yè)數(shù)： 7/12頁(yè)
文件大?。?/td> 183K
代理商： HY57V643220CT-5
Rev. 0.8/Aug. 02
7
HY57V643220C
AC CHARACTERISTICS I
(AC operating conditions unless otherwise noted)
Note :
1.Assume tR / tF (input rise and fall time ) is 1ns
2.Access times to be measured with input signals of 1v/ns edge rate, 0.8v to 2.0v
3.Data-out hold time to be measured under 30pF load condition, without Vt termination
Parameter
Symbol
-47
-5
-55
-6
-7
-8
-P
-S
Unit Note
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
System clock
cycle time
CAS Latency = 3
tCK3
4.7
1000
5
1000
5.5
1000
6
1000
7
1000
8
1000
10
1000
10
1000
ns
CAS Latency = 2
tCK2
10
10
10
10
10
-10
10
12
ns
Clock high pulse width
tCHW
1.65
-
2
-
2.25
-
2.5
-
3
-
3
-
3
-
3
-
ns
1
Clock low pulse width
tCLW
1.65
-
2
-
2.25
-
2.5
-
3
-
3
-
3
-
3
-
ns
1
Access time from
clock
CAS Latency = 3
tAC3
-
4.5
-
4.5
-
5
-
5.5
-
5.5
-
6
-
6
-
6
ns
2
CAS Latency = 2
tAC2
-
6
-
6
-
6
-
6
-
6
-
6
-
6
-
6
ns
Data-out hold time
tOH
1.5
-
1.5
-
2
-
2
-
2
-
2
-
2
-
2
-
ns
3
Data-Input setup time
tDS
1.3
-
1.5
-
1.5
-
1.5
-
1.75
-
2
-
2
-
2
-
ns
1
Data-Input hold time
tDH
0.8
-
1
-
1
-
1
-
1
-
1
-
1
-
1
-
ns
1
Address setup time
tAS
1.3
-
1.5
-
1.5
-
1.5
-
1.75
-
2
-
2
-
2
-
ns
1
Address hold time
tAH
0.8
-
1
-
1
-
1
-
1
-
1
-
1
-
1
-
ns
1
CKE setup time
tCKS
1.3
-
1.5
-
1.5
-
1.5
-
1.75
-
2
-
2
-
2
-
ns
1
CKE hold time
tCKH
0.8
-
1
-
1
-
1
-
1
-
1
-
1
-
1
-
ns
1
Command setup time
tCS
1.3
-
1.5
-
1.5
-
1.5
-
1.75
-
2
-
2
-
2
-
ns
1
Command hold time
tCH
0.8
-
1
-
1
-
1
-
1
-
1
-
1
-
1
-
ns
1
CLK to data output in low Z-time
tOLZ
1
-
1
-
1
-
1
-
1
-
1
-
1
-
1
-
ns
CLK to data output
in high Z-time
CAS Latency = 3
tOHZ3
-
4
-
4.5
-
5
-
5.5
-
5.5
-
6
-
6
-
6
ns
CAS Latency = 2
tOHZ2
-
6
-
6
-
6
-
6
-
6
-
6
-
6
-
6
ns
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HY57V643220CT-55 4 Banks x 512K x 32Bit Synchronous DRAM
HY57V643220CT-6 4 Banks x 512K x 32Bit Synchronous DRAM
HY57V643220CT-7 4 Banks x 512K x 32Bit Synchronous DRAM
HY57V643220CT-8 4 Banks x 512K x 32Bit Synchronous DRAM
HY57V643220CT-P 4 Banks x 512K x 32Bit Synchronous DRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HY57V643220CT-55 制造商:HYNIX 制造商全稱(chēng):Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 512K x 32Bit Synchronous DRAM
HY57V643220CT-55I 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:SDRAM|4X512KX32|CMOS|TSSOP|86PIN|PLASTIC
HY57V643220CT-5I 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:x32 SDRAM
HY57V643220CT-6 制造商:HYNIX 制造商全稱(chēng):Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 512K x 32Bit Synchronous DRAM
HY57V643220CT-6I 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:SDRAM|4X512KX32|CMOS|TSSOP|86PIN|PLASTIC
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