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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HY57V643220CLT-7 |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4 Banks x 512K x 32Bit Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 2M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.5 ns, PDSO86 |
| 封裝： | 0.400 X 0.875 INCH, 0.5 MM PITCH, TSOP2-86 |
| 文件頁數(shù)： | 5/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 183K |
| 代理商： | HY57V643220CLT-7 |
Rev. 0.8/Aug. 02
5
HY57V643220C
CAPACITANCE
(TA=25×C, f=1MHz, VDD=3.3V)
OUTPUT LOAD CIRCUIT
DC CHARACTERISTICS I
(DC operating conditions unless otherwise noted)
Note :
1.V
IN
= 0 to 3.6V, All other pins are not under test = 0V
2.D
OUT
is disabled, V
OUT
=0 to 3.6V
Parameter
Pin
Symbol
Min
Max
Unit
Input capacitance
CLK
C
I1
2.5
3.5
pF
A0 ~ A10, BA0, BA1, CKE, CS, RAS,
CAS, WE, DQM0~3
CI
2
2.5
3.8
pF
Data input / output capacitance
DQ0 ~ DQ31
C
I/O
4
6.5
pF
Parameter
Symbol
Min.
Max
Unit
Note
Input leakage current
I
LI
-1
1
uA
1
Output leakage current
I
LO
-1
1
uA
2
Output high voltage
V
OH
2.4
-
V
I
OH
= -2mA
Output low voltage
V
OL
-
0.4
V
I
OL
= +2mA
Vtt=1.4V
RT=500
30pF
Output
DC Output Load Circuit
AC Output Load Circuit
Vtt=1.4V
RT=50
30pF
Output
Z0 = 50
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY57V643220CLT-8 | 4 Banks x 512K x 32Bit Synchronous DRAM |
| HY57V643220D | 4Banks x 512K x 32bits Synchronous DRAM |
| HY57V643220DTP-55 | 4Banks x 512K x 32bits Synchronous DRAM |
| HY57V643220DTP-6 | 4Banks x 512K x 32bits Synchronous DRAM |
| HY57V643220DTP-7 | 4Banks x 512K x 32bits Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY57V643220CLT-7I | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x32 SDRAM |
| HY57V643220CLT-8 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 512K x 32Bit Synchronous DRAM |
| HY57V643220CLT-I | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:2Mx32|3.3V|4K|5|SDR SDRAM - 64M |
| HY57V643220CLT-P | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 512K x 32Bit Synchronous DRAM |
| HY57V643220CLT-S | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 512K x 32Bit Synchronous DRAM |
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