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參數(shù)資料
| 型號： | HY57V641620HGT-KI |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 4M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| 封裝： | 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54 |
| 文件頁數(shù)： | 3/12頁 |
| 文件大小： | 145K |
| 代理商： | HY57V641620HGT-KI |
HY57V641620HG
Rev. 1.0/Jan. 02
3
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
1Mbit x 4banks x 16 I/O Synchronous DRAM
X
S
A0
A1
A11
BA0
BA1
A
Address
Registers
Mode Registers
Row
Pre
Decoders
Column
Pre
Decoders
Column Add
Counter
Row active
Column
Active
Burst
Counter
Data Out Control
CAS Latency
Internal Row
counter
DQ0
DQ1
DQ14
DQ15
refresh
Self refresh logic
& timer
Pipe Line Control
I
Bank Select
S
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
UDQM
LDQM
1Mx16 Bank 3
X
X
Memory
Cell
Array
Y decoders
X
1Mx16 Bank 0
1Mx16 Bank 1
1Mx16 Bank 2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY57V641620HGT-HI | 4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM |
| HY57V643220CT-47 | 4 Banks x 512K x 32Bit Synchronous DRAM |
| HY57V643220CLT-47 | 4 Banks x 512K x 32Bit Synchronous DRAM |
| HY57V643220CLT-P | 4 Banks x 512K x 32Bit Synchronous DRAM |
| HY57V643220CLT-S | 4 Banks x 512K x 32Bit Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY57V641620HGT-P | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM |
| HY57V641620HGT-PI | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM |
| HY57V641620HGT-S | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM |
| HY57V641620HGT-SI | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM |
| HY57V641620TC-10 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SDRAM |
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