參數(shù)資料
型號： HY57V641620HGLT-HI
廠商： HYNIX SEMICONDUCTOR INC
元件分類： DRAM
英文描述： 4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM
中文描述： 4M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54
封裝： 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54
文件頁數(shù)： 10/12頁
文件大?。?/td> 145K
代理商： HY57V641620HGLT-HI
HY57V641620HG-I Series
4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM
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of circuits described. No patent licenses are implied.
Rev. 1.0/Jan. 02 10
HY57V641620HG(L)T-8I
HY57V641620HG(L)T-P
I
HY57V641620HG(L)T-SI
CAS Latency
tRCD
tRAS
tRC
tRP
tAC
tOH
125MHz(8ns)
100MHz(10ns)
83MHz(12ns)
3CLKs
2CLKs
3CLKs
3CLKs
2CLKs
3CLKs
7CLKs
5CLKs
6CLKs
10CLKs
7CLKs
9CLKs
3CLKs
3CLKs
2CLKs
6ns
6ns
6ns
2.0ns
2.0ns
2.0ns
CAS Latency
tRCD
tRAS
tRC
tRP
tAC
tOH
100MHz(10ns)
83MHz(12ns)
66MHz(15ns)
2CLKs
2CLKs
2CLKs
2CLKs
2CLKs
2CLKs
5CLKs
5CLKs
4CLKs
7CLKs
7CLKs
6CLKs
2CLKs
2CLKs
2CLKs
6ns
6ns
6ns
2.0ns
2.0ns
2.0ns
CAS Latency
tRCD
tRAS
tRC
tRP
tAC
tOH
100MHz(10ns)
83MHz(12ns)
66MHz(15ns)
3CLKs
2CLKs
2CLKs
2CLKs
2CLKs
2CLKs
5CLKs
5CLKs
4CLKs
7CLKs
7CLKs
6CLKs
2CLKs
2CLKs
2CLKs
6ns
6ns
6ns
2.0ns
2.0ns
2.0ns
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HY57V641620HGLT-KI 4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM
HY57V641620HGLT-PI Ceramic Multilayer Capacitor; Capacitance:10000pF; Capacitance Tolerance:+/- 10 %; Working Voltage, DC:50V; Dielectric Characteristic:X7R; Package/Case:0805; Series:MLCC; Dielectric Material:Ceramic; Leaded Process Compatible:Yes
HY57V641620HGLT-SI CAP 0.01UF 50V 10% X7R SMD-0805 TR-13 PLATED-NI/SN
HY57V641620HGT-KI 4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM
HY57V641620HGT-HI 4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM
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參數(shù)描述
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HY57V641620HGLT-P 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM
HY57V641620HGLT-PI 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM
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