參數(shù)資料
型號(hào)： HY29F400BG90
廠商： Hynix Semiconductor Inc.
英文描述： 4 Megabit (512Kx8/256Kx16) 5 Volt-only Flash Memory
中文描述： 4兆位（512Kx8/256Kx16）5伏只閃存
文件頁(yè)數(shù)： 30/40頁(yè)
文件大?。?/td> 509K
代理商： HY29F400BG90
30
Rev. 5.2/May 01
HY29F400
AC CHARACTERISTICS
Notes:
1. VA = Valid Address for reading Toggle Bits (DQ2, DQ6) status data (see Write Operation Status section).
2. Illustration shows first two status read cycles after command sequence, last status read cycle and array data read cycle.
Figure 20. Toggle Polling Timings (During Automatic Algorithms)
t
BUSY
t
CH
t
OE
t
CE
t
RC
VA
Complement
Complement
True
Valid Data
Status Data
Status Data
Data
Valid Data
RY/BY#
DQ[6:0]
DQ[7]
WE#
OE#
CE#
Addresses
VA
VA
t
ACC
t
OEH
t
OH
t
DF
Notes:
1. VA = Valid Address for reading Data# Polling status data (see Write Operation Status section).
2. Illustration shows first status cycle after command sequence, last status read cycle and array data read cycle.
Figure 19. Data# Polling Timings (During Automatic Algorithms)
t
BUSY
t
CH
t
OE
t
CE
t
RC
Valid Status
Valid Status
Valid Status
RY/BY#
DQ[6], [2]
WE#
OE#
CE#
Addresses
VA
VA
VA
t
OEH
t
OH
t
DF
VA
(second read)
(first read)
(stops toggling)
Valid Data
t
ACC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HY29F400BG45 4 Megabit (512Kx8/256Kx16) 5 Volt-only Flash Memory
HY29F400BG55 4 Megabit (512Kx8/256Kx16) 5 Volt-only Flash Memory
HY29F400BT45 4 Megabit (512Kx8/256Kx16) 5 Volt-only Flash Memory
HY29F400TG70 4 Megabit (512Kx8/256Kx16) 5 Volt-only Flash Memory
HY29F400 4 Megabit (512Kx8/256Kx16) 5 Volt-only Flash Memory
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HY29F400BG-90 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM
HY29F400BR45 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Megabit (512Kx8/256Kx16) 5 Volt-only Flash Memory
HY29F400BR-45 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM
HY29F400BR55 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Megabit (512Kx8/256Kx16) 5 Volt-only Flash Memory
HY29F400BR-55 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM
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