參數(shù)資料
型號(hào)： HY27UF081G2M-TIP
廠商： HYNIX SEMICONDUCTOR INC
元件分類： DRAM
英文描述： 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
中文描述： 128M X 8 FLASH 3.3V PROM, 30 ns, PDSO48
封裝： 12 X 20 MM, 1.20 MM HEIGHT, TSOP1-48
文件頁數(shù)： 45/48頁
文件大?。?/td> 476K
代理商： HY27UF081G2M-TIP
Rev 0.7 / Apr. 2005
45
Preliminary
HY27UF(08/ 16)1G2M Series
HY27SF(08/ 16)1G2M Series
1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash
MARKING INFORMATION
P ack ag
Mark ing E x am ple
T S OP 1
/
W S OP
K
O
R
H
Y
2
7
x
F
x
x
1
G
2
M
x
x
x
x
Y
W
W
x
x
- hynix
- K OR
- H Y 2 7 x Fx x 1 G2 M x x x x
H Y :
HYNIX
2 7 :
NAND Flash
x :
Power Supply
F :
Classification
x x :
Bit Organization
1 G :
Density
2 :
Mode
M:
Version
x :
Package Type
x :
Package Material
x :
Operating Temperature
x :
Bad Block
- Y :
Year (ex: 5= year 2005, 06= year 2006)
- w w :
Work Week (ex: 12= work week 12)
- x x :
Process Code
Note
- Capital Letter
- S m all Letter
: Hynix Symbol
: Origin Country
: U(2.7V~ 3.6V), L(2.7V), S(1.8V)
: Single Level Cell+ Single Die+ Large Block
: 08(x8), 16(x16)
: 1Gbit
: 1nCE & 1R/nB; Sequential Row Read Disable
: 1st Generation
: T(48-TSOP1), V(48-WSOP)
: Blank(Normal), P(Lead Free)
: C(0
℃
~ 70
℃
), E(-25
℃
~ 85
℃
)
M(-30
℃
~ 85
℃
), I(-40
℃
~ 85
℃
)
: B(Included Bad Block), S(1~ 5 Bad Block),
P(All Good Block)
: Fixed Item
: Non-fixed Item
: Part Number
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HY27UF081G2M-TIS 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
HY27UF081G2M-TMB Inductor; Inductor Type:Power; Inductance:2uH; Inductance Tolerance: 25 %; Series:CTX; Package/Case:PCB Surface Mount; Core Material:Amorphous Metal; Current, lt rms Parallel:7.26A; Current, lt rms Series:3.63A RoHS Compliant: Yes
HY27UF081G2M-TMP 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
HY27UF081G2M-TMS 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
HY27UF081G2M-TPCB 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
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參數(shù)描述
HY27UF081G2M-TIS 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
HY27UF081G2M-TMB 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
HY27UF081G2M-TMP 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
HY27UF081G2M-TMS 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
HY27UF081G2M-TPCB 制造商:SK Hynix Inc 功能描述:IC FLASH NAND 1GB SMD TSOP48 制造商:SK Hynix Inc 功能描述:NAND Flash, 128M x 8, 48 Pin, Plastic, TSSOP
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