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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HY27UF081G2M-TEP |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
| 中文描述： | 128M X 8 FLASH 3.3V PROM, 30 ns, PDSO48 |
| 封裝： | 12 X 20 MM, 1.20 MM HEIGHT, TSOP1-48 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 39/48頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 476K |
| 代理商： | HY27UF081G2M-TEP |
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Rev 0.7 / Apr. 2005
39
Preliminary
HY27UF(08/ 16)1G2M Series
HY27SF(08/ 16)1G2M Series
1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash
Figure 29: page programming within a block
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY27UF081G2M-TES | 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27UF081G2M-TIB | 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27UF081G2M-TIP | 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27UF081G2M-TIS | 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27UF081G2M-TMB | Inductor; Inductor Type:Power; Inductance:2uH; Inductance Tolerance: 25 %; Series:CTX; Package/Case:PCB Surface Mount; Core Material:Amorphous Metal; Current, lt rms Parallel:7.26A; Current, lt rms Series:3.63A RoHS Compliant: Yes |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY27UF081G2M-TES | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27UF081G2M-TIB | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27UF081G2M-TIP | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27UF081G2M-TIS | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27UF081G2M-TMB | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
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