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參數(shù)資料
| 型號： | HY27UF081G2M-TCB |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
| 中文描述： | 128M X 8 FLASH 3.3V PROM, 30 ns, PDSO48 |
| 封裝： | 12 X 20 MM, 1.20 MM HEIGHT, TSOP1-48 |
| 文件頁數(shù)： | 38/48頁 |
| 文件大?。?/td> | 476K |
| 代理商： | HY27UF081G2M-TCB |
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Rev 0.7 / Apr. 2005
38
Preliminary
HY27UF(08/ 16)1G2M Series
HY27SF(08/ 16)1G2M Series
1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash
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Figure 28: Ready/ Busy Pin electrical specifications
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY27UF081G2M-TCP | 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27UF081G2M-TCS | 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27UF081G2M-TEB | 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27UF081G2M-TEP | 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27UF081G2M-TES | 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY27UF081G2M-TCP | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27UF081G2M-TCS | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27UF081G2M-TEB | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27UF081G2M-TEP | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27UF081G2M-TES | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
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