參數(shù)資料
型號： HY27SF161G2M-TIS
廠商： HYNIX SEMICONDUCTOR INC
元件分類： DRAM
英文描述： 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
中文描述： 64M X 16 FLASH 1.8V PROM, 30 ns, PDSO48
封裝： 12 X 20 MM, 1.20 MM HEIGHT, TSOP1-48
文件頁數(shù)： 33/48頁
文件大?。?/td> 476K
代理商： HY27SF161G2M-TIS
Rev 0.7 / Apr. 2005
33
Preliminary
HY27UF(08/ 16)1G2M Series
HY27SF(08/ 16)1G2M Series
1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash
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Figure 19: Block Erase Operation (Erase One Block)
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Figure 20: Read ID Operation
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HY27SF161G2M-TMB 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
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HY27SF161G2M-TMS 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
HY27SF161G2M-TP 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
HY27SF161G2M-TPCB 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
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參數(shù)描述
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