參數(shù)資料
型號(hào)： HY27SF161G2M-TCS
廠商： HYNIX SEMICONDUCTOR INC
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
中文描述： 64M X 16 FLASH 1.8V PROM, 30 ns, PDSO48
封裝： 12 X 20 MM, 1.20 MM HEIGHT, TSOP1-48
文件頁(yè)數(shù)： 42/48頁(yè)
文件大?。?/td> 476K
代理商： HY27SF161G2M-TCS
Rev 0.7 / Apr. 2005
42
Preliminary
HY27UF(08/ 16)1G2M Series
HY27SF(08/ 16)1G2M Series
1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash
Table 19: 48-TSOP1, 12 x 20mm, Package Mechanical Data
Symbol
millimeters
Min
Typ
Max
A
1.200
A1
0.050
0.150
A2
0.980
1.030
B
0.170
0.250
C
0.100
0.200
CP
0.050
D
11.910
12.000
12.120
E
19.900
20.000
20.100
E1
18.300
18.400
18.500
e
0.500
L
0.500
0.680
alpha
0
5
Figure 31. 48-pin TSOP1, 12 x 20mm, Package Outline
'
$
',(
$
H
%
/
(
(
&
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$
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HY27SF161G2M-TEB 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
HY27SF161G2M-TEP 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
HY27SF161G2M-TES 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
HY27SF161G2M-TIB 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
HY27SF161G2M-TIP 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
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參數(shù)描述
HY27SF161G2M-TEB 制造商:HYNIX 制造商全稱(chēng):Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
HY27SF161G2M-TEP 制造商:HYNIX 制造商全稱(chēng):Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
HY27SF161G2M-TES 制造商:HYNIX 制造商全稱(chēng):Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
HY27SF161G2M-TIB 制造商:HYNIX 制造商全稱(chēng):Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
HY27SF161G2M-TIP 制造商:HYNIX 制造商全稱(chēng):Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
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