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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HY27SF081G2M-TIB |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
| 中文描述： | 128M X 8 FLASH 1.8V PROM, 30 ns, PDSO48 |
| 封裝： | 12 X 20 MM, 1.20 MM HEIGHT, TSOP1-48 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 23/48頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 476K |
| 代理商： | HY27SF081G2M-TIB |
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Rev 0.7 / Apr. 2005
23
Preliminary
HY27UF(08/ 16)1G2M Series
HY27SF(08/ 16)1G2M Series
1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash
Description
IO7
IO6
IO5-4
IO3
IO2
IO1-0
Page Size
(Without Spare Area)
1K
2K
Reserved
Reserved
0 0
0 1
1 0
1 1
Spare Area Size
(Byte / 512Byte)
8
16
0
1
Serial Access Time
Standard (50ns)
Fast (30ns)
0
1
Block Size
(Without Spare Area)
64K
128K
256K
Reserved
0 0
0 1
1 0
1 1
Organization
X8
X16
0
1
Not Used
Reserved
Table 16: 4th Byte of Device Identifier Description
Part Number
Voltage
Bus Width
Manufacture
Code
Device
Code
3rd Code
4th Code
HY27UF081G2M
3.3V
x8
ADh
F1h
Don’t care
15h
HY27UF161G2M
3.3V
x16
ADh
C1h
Don’t care
55h
HY27SF081G2M
1.8V
x8
ADh
A1h
Don’t care
15h
HY27SF161G2M
1.8V
x16
ADh
ADh
Don’t care
55h
Table 17: Read ID
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