參數(shù)資料
型號(hào)： HY27SF081G2M-TES
廠商： HYNIX SEMICONDUCTOR INC
元件分類： DRAM
英文描述： 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
中文描述： 128M X 8 FLASH 1.8V PROM, 30 ns, PDSO48
封裝： 12 X 20 MM, 1.20 MM HEIGHT, TSOP1-48
文件頁(yè)數(shù)： 43/48頁(yè)
文件大?。?/td> 476K
代理商： HY27SF081G2M-TES
Rev 0.7 / Apr. 2005
43
Preliminary
HY27UF(08/ 16)1G2M Series
HY27SF(08/ 16)1G2M Series
1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash
Symbol
millimeters
Typ
Min
Max
0.700
0.080
0.620
0.230
0.175
0.050
12.120
17.100
15.500
A
A1
A2
B
C
CP
D
E
E1
e
L
0
0.540
0.130
0.065
11.910
16.900
15.300
12.000
17.000
15.400
0.500
0.450
0
0.750
8
alpha
Figure 32. 48-pin WSOP1, 12 x 17mm, Package Outline
Table 20: 48-WSOP1, 12 x 17mm, Package Mechanical Data
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$
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(
(
&
H
%
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'
(
&3
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HY27SF081G2M-TIB 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
HY27SF081G2M-TIP 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
HY27SF081G2M-TIS 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
HY27SF081G2M-TMB 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
HY27SF081G2M-TMP 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HY27SF081G2M-TIB 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
HY27SF081G2M-TIP 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
HY27SF081G2M-TIS 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
HY27SF081G2M-TMB 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
HY27SF081G2M-TMP 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory
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