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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HY27LF161G2M-TMP |
| 廠(chǎng)商： | Hynix Semiconductor Inc. |
| 英文描述： | 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
| 中文描述： | 1Gbit的（128Mx8bit / 64Mx16bit）NAND閃存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 20/48頁(yè) |
| 文件大小： | 476K |
| 代理商： | HY27LF161G2M-TMP |
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Rev 0.7 / Apr. 2005
20
Preliminary
HY27UF(08/ 16)1G2M Series
HY27SF(08/ 16)1G2M Series
1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash
Item
Symbol
Test Condition
Min
Max
Unit
Input / Output Capacitance (1)
C
I/O
V
IL
=0V
-
10
pF
Input Capacitance(1)
C
IN
V
IN
=0V
-
10
pF
Table 11: Pin Capacitance (TA= 25C, F= 1.0MHz)
Note:
1. For the stacked devices version the Input Capacitance is <TBD> and the I/O capacitance is <TBD>
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Program Time
t
PROG
-
300
700
us
Dummy Busy Time for Cache Program
t
CBSY
-
3
700
us
Number of partial Program Cycles in the same page
Main Array
NOP
-
-
4
Cycles
Spare Array
NOP
-
-
4
Cycles
Block Erase Time
t
BERS
-
2
3
ms
Table 12: Program / Erase Characteristics
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY27LF161G2M-TMS | 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27LF161G2M-TPCB | 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27LF161G2M-TPCP | 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27LF161G2M-TPCS | 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27LF161G2M-TPIB | 1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY27LF161G2M-TMS | 制造商:HYNIX 制造商全稱(chēng):Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27LF161G2M-TPCB | 制造商:HYNIX 制造商全稱(chēng):Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27LF161G2M-TPCP | 制造商:HYNIX 制造商全稱(chēng):Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27LF161G2M-TPCS | 制造商:HYNIX 制造商全稱(chēng):Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
| HY27LF161G2M-TPEB | 制造商:HYNIX 制造商全稱(chēng):Hynix Semiconductor 功能描述:1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
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