參數(shù)資料
型號(hào)： HUFA76633S3S
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 38A, 100V, 0.036 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET
中文描述： 39 A, 100 V, 0.037 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
文件頁數(shù)： 3/10頁
文件大?。?/td> 218K
代理商： HUFA76633S3S
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
HUFA76633P3, HUFA76633S3S Rev. B
Typical Performance Curves
FIGURE 1. NORMALIZED POWER DISSIPATION vs CASE
TEMPERATURE
FIGURE 2. MAXIMUM CONTINUOUS DRAIN CURRENT vs
CASE TEMPERATURE
FIGURE 3. NORMALIZED MAXIMUM TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE
FIGURE 4. PEAK CURRENT CAPABILITY
T
C
, CASE TEMPERATURE (
o
C)
P
0
0
25
50
75
100
175
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
125
150
10
20
30
40
50
0
25
50
75
100
125
150
175
I
D
,
T
C
, CASE TEMPERATURE (
o
C)
V
GS
= 10V
V
GS
= 4.5V
0.1
1
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
0.01
2
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
Z
θ
J
,
SINGLE PULSE
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t
1
/t
2
PEAK T
J
= P
DM
x Z
θ
JC
x R
θ
JC
+ T
C
P
DM
t
1
t
2
DUTY CYCLE - DESCENDING ORDER
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
T
100
500
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-5
30
I
D
,
t, PULSE WIDTH (s)
TRANSCONDUCTANCE
MAY LIMIT CURRENT
IN THIS REGION
T
C
= 25
o
C
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25
C DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
I = I
25
175 - T
C
150
V
GS
= 5V
V
GS
= 10V
HUFA76633P3, HUFA76633S3S
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HUFA76633P3 38A, 100V, 0.036 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET
HUFA76639P3 50A, 100V, 0.027 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET
HUFA76639S3S 50A, 100V, 0.027 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET
HUFA76645P3 75A, 100V, 0.015 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET
HUFA76645S3S 75A, 100V, 0.015 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET
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參數(shù)描述
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HUFA76639P3 功能描述:MOSFET 50a 100V 0.027 Ohm Logic Level N-Ch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
HUFA76639S3S 功能描述:MOSFET 50a 100V 0.027 Ohm Logic Level N-Ch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
HUFA76639S3ST 功能描述:MOSFET 50a 100V 0.027 Ohm Logic Level N-Ch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
HUFA76645P3 功能描述:MOSFET 75a 100V 0.015 Ohm Logic Level N-Ch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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