參數(shù)資料
型號： HUFA76609D3S
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 10A, 100V, 0.165 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET
中文描述： 10 A, 100 V, 0.168 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
文件頁數(shù)： 3/10頁
文件大?。?/td> 209K
代理商： HUFA76609D3S
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
HUFA76609D3, HUFA76609D3S Rev. B
Typical Performance Curves
FIGURE 1. NORMALIZED POWER DISSIPATION vs CASE
TEMPERATURE
FIGURE 2. MAXIMUM CONTINUOUS DRAIN CURRENT vs
CASE TEMPERATURE
FIGURE 3. NORMALIZED MAXIMUM TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE
FIGURE 4. PEAK CURRENT CAPABILITY
T
C
, CASE TEMPERATURE (
o
C)
P
0
0
25
50
75
100
175
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
125
150
3
6
9
12
25
50
75
100
125
150
175
0
I
D
,
T
C
, CASE TEMPERATURE (
o
C)
V
GS
= 10V
V
GS
= 4.5V
0.1
1
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
0.01
2
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
Z
θ
J
,
SINGLE PULSE
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t
1
/t
2
PEAK T
J
= P
DM
x Z
θ
JC
x R
θ
JC
+ T
C
P
DM
t
1
t
2
DUTY CYCLE - DESCENDING ORDER
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
T
10
200
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-5
5
100
I
D
,
t, PULSE WIDTH (s)
TRANSCONDUCTANCE
MAY LIMIT CURRENT
IN THIS REGION
T
C
= 25
o
C
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25
o
C DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
I = I
25
175 - T
C
150
V
GS
= 5V
HUFA76609D3, HUFA76609D3S
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HUFA76619D3 18A, 100V, 0.087 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET
HUFA76619D3S 18A, 100V, 0.087 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET
HUFA76619D3ST TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 18A I(D) | TO-252AA
HUFA76629D3 20A, 100V, 0.054 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET
HUFA76629D3S 20A, 100V, 0.054 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET
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參數(shù)描述
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HUFA76609D3ST_F085 功能描述:MOSFET Trans N-CH 100V 10A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
HUFA76609D3ST_NL 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
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