參數(shù)資料
型號(hào)： HSMS-8012
英文描述： Schottky Barrier Chips for Hybrid Integrated Circuits(混合集成電路應(yīng)用的肖特基勢(shì)壘二極管)
中文描述： 肖特基芯片的混合集成電路（混合集成電路應(yīng)用的肖特基勢(shì)壘二極管）
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
文件大?。?/td> 36K
代理商： HSMS-8012
3
Nearest
Maximum
Forward Voltage
V
F
(mV)
250
350
I
F
= 1 mA
Minimum
Typical
Capacitance
C
T
(pF)
0.20
0.17
V
= 0.5V,
f = 1 MHz
Part Number
HSMS-
Equivalent Packaged
Part No. HSMS-
Breakdown Voltage
V
BR
(V)
—
4.0
I
R
= 10
μ
A
0005
0006
Test
2850
2860
Conditions
DC Electrical Specifications at T
A
= 25
°
C
Schottky Barrier Chips for Microwave and RF Detectors
Typical RF Electrical Parameters at T
A
= 25
°
C
Voltage Sensitivity
γ
( mV/
μ
W)
2.45 GHz
Part Number
HSMS-
Video Resistance
R
V
(K
)
8.0
5.5
DC Bias
915 MHz
5.8 GHz
0005
0006
zero
5
μ
A
40
40
30
32
22
25
Test Conditions
P
in
= -40 dBm R
L
= 100 K
SPICE Parameters
Parameter Units HSMS-8002
HSMS-0005
HSMS-0006
B
V
C
J0
E
G
I
BV
I
S
N
R
S
P
B
P
T
M
V
7.0
0.16
0.69
10E -5
4.6 x 10E -8
1.08
5.0
0.65
2
0.5
3.8
0.16
0.69
10E -5
3 x 10E -6
1.15
20
0.65
2
0.5
6.0
0.17
0.69
10E -5
3 x 10E -8
1.10
7.0
0.65
2
0.5
pF
eV
A
A
V
Equivalent Circuit Model
C
jo
R
S
R
j
R
j
≈
.026
I
s
+ I
b
I
b
= bias current in A
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PDF描述
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