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參數資料
| 型號： | HSCH-9251 |
| 英文描述： | Beamlead GaAs Schottky barrier diodes |
| 中文描述： | Beamlead砷化鎵肖特基勢壘二極管 |
| 文件頁數： | 5/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 127K |
| 代理商： | HSCH-9251 |
3-68
Figure 6. Typical Admittance Characteristics with Self Bias.
HSCH-5314 and -5315.
Figure 7. Typical Admittance Characteristics with External
Bias. HSCH-5314 and -5315.
0.2
05
1
20
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18 GHz
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μ
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1.5 mA
0
12 GHz
1 mA
3 mA
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1
2
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150
μ
A
12 GHz
0
20
A
50
μ
A
Figure 8. Typical Admittance Characteristics with Self Bias.
HSCH-5318 and -5319.
Figure 9. Typical Admittance Characteristics with External
Bias. HSCH-5318 and -5319.
Models for Each Beam Lead Schottky Diode
HSCH-5340, -5341
1 mA Self Bias
0.11 pF
0.03 pF
0.04 nH
0.1 nH
11
267
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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