參數(shù)資料
型號(hào)： HQ1F2Q
廠商： NEC Corp.
英文描述： COMPOUND TRANSISTOR
中文描述： 復(fù)合晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 4/6頁(yè)
文件大?。?/td> 111K
代理商： HQ1F2Q
Data Sheet D16183EJ1V0DS
4
HQ1 SERIES
HQ1A4A
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta = 25
°
C)
Parameter
Symbol
Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
Collector cutoff current
I
CBO
V
CB
=
20 V, I
E
= 0
100
nA
DC current gain
h
FE1
**
V
CE
=
2.0 V, I
C
=
0.1 A
200
DC current gain
h
FE2
**
V
CE
=
2.0 V, I
C
=
1.0 A
150
DC current gain
h
FE3
**
V
CE
=
2.0 V, I
C
=
2.0 A
50
Collector saturation voltage
V
CE(sat)
**
I
C
=
1.0 A, I
B
=
20 mA
0.35
0.45
V
Low level input voltage
V
IL
**
V
CE
=
5.0 V, I
C
=
100
μ
A
0.3
V
Input resistance
R
1
k
E-to-B resistance
R
2
7
10
13
**PW
≤
350
μ
s, duty cycle
≤
2 %
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HQ1F3M COMPOUND TRANSISTOR
HQ1F3P COMPOUND TRANSISTOR
HR-P30A Video_ICs:
HR1xxx On-chip resistor PNP silicon epitaxial transistor For mid-speed switching
HR1A4M HR1 Series Data Sheet | Data Sheet[04/2002]
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參數(shù)描述
HQ1F3M 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:COMPOUND TRANSISTOR
HQ1F3P 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:COMPOUND TRANSISTOR
HQ1F3P-T1-AZ 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
HQ1L2N 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:COMPOUND TRANSISTOR
HQ1L2N(T1) 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
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