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參數(shù)資料
| 型號： | HM66AEB9405BP-50 |
| 英文描述： | HM66AEB36105/HM66AEB18205 HM66AEB9405 Datasheet |
| 中文描述： | HM66AEB36105/HM66AEB18205 HM66AEB9405數(shù)據(jù)表 |
| 文件頁數(shù)： | 3/32頁 |
| 文件大?。?/td> | 251K |
| 代理商： | HM66AEB9405BP-50 |
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HM66AEB36102/HM66AEB18202
HM66AEB9402
36-Mbit DDR II SRAM
2-word Burst
ADE-203-1365 (Z)
Preliminary
Rev. 0.0
Dec. 18, 2002
Description
The HM66AEB36102 is a 1,048,576-word by 36-bit, the HM66AEB18202 is a 2,097,152-word by 18-bit,
and the HM66AEB9402 is a 4,194,304-word by 9-bit synchronous double data rate static RAM fabricated
with advanced CMOS technology using full CMOS six-transistor memory cell. It integrates unique
synchronous peripheral circuitry and a burst counter. All input registers controlled by an input clock pair
(K and
K
) and are latched on the positive edge of K and
K
. These products are suitable for applications
which require synchronous operation, high speed, low voltage, high density and wide bit configuration.
These products are packaged in 165-pin plastic FBGA package.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| HM66AEB9405BP-60 | HM66AEB36105/HM66AEB18205 HM66AEB9405 Datasheet |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HM66AEB9405BP-60 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:HM66AEB36105/HM66AEB18205 HM66AEB9405 Datasheet |
| HM66AQB18202BP-40 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:HM66AQB36102/HM66AQB18202 HM66AQB9402 Datasheet |
| HM66AQB18202BP-50 | 功能描述:IC SRAM 36MBIT 200MHZ 165FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:移動 SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2 |
| HM66AQB18202BP-60 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:HM66AQB36102/HM66AQB18202 HM66AQB9402 Datasheet |
| HM66AQB18202BP-75 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:HM66AQB36102/HM66AQB18202 HM66AQB9402 Datasheet |
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