參數資料
型號： HM5225805BTT-75
廠商： ELPIDA MEMORY INC
元件分類： DRAM
英文描述： 256M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank /16-Mword 】 4-bit 】 4-bank PC/133, PC/100 SDRAM
中文描述： 32M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54
封裝： 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54
文件頁數： 33/63頁
文件大小： 462K
代理商： HM5225805BTT-75
HM5225165B/HM5225805B/HM5225405B-75/A6/B6
Data Sheet E0082H10
33
Write with auto precharge to Read command interval
1.
Different bank:
When some banks are in the active state, the second read command (another bank) is
executed. However, in case of a burst write, data will continue to be written until one clock before the read
command is executed. The internal auto-precharge of one bank starts at the next clock of the second
command.
Write with Auto Precharge to Read Command Interval
(Different bank)
CLK
Command
BS
Dout
Din
WRIT A
READ
out B0
out B1
out B2
out B3
CAS
Latency = 3
Burst Length = 4
bank0
Write A
bank3
Read
Note: Internal auto-precharge starts at the timing indicated by " ".
DQM,
DQMU/DQML
in A0
2. Same bank:
The consecutive read command from write with auto precharge (the same bank) is illegal. It
is necessary to separate the two commands with a bank active command.
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PDF描述
HM5225405BTT-75 256M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank /16-Mword 】 4-bit 】 4-bank PC/133, PC/100 SDRAM
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HM5225805BTT-B6 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank /16-Mword 】 4-bit 】 4-bank PC/133, PC/100 SDRAM
HM-523841-1.5-8A 功能描述:電線鑒定 HM 2.06/3.31" LABEL PRICE PER LABEL RoHS:否 制造商:TE Connectivity / Q-Cees 產品:Labels and Signs 類型: 材料:Vinyl 顏色:Blue 寬度:0.625 in 長度:1 in
HM5241605 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Series 131 072-Word x 16-Bit x 2-Bank Synchronous Dynamic RAM
HM5241605C 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Series 4M LVTTL Interface SDRAM (128-kword x 16-bit) 83 MHz/80MHz/66
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