參數(shù)資料
型號(hào)： HM5225405BLTT-75
廠商： ELPIDA MEMORY INC
元件分類： DRAM
英文描述： POT 20K OHM 9MM HORZ NO BUSHING
中文描述： 64M X 4 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54
封裝： 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54
文件頁數(shù)： 1/63頁
文件大?。?/td> 462K
代理商： HM5225405BLTT-75
Elpida Memory, Inc. is a joint venture DRAM company of NEC Corporation and Hitachi, Ltd.
HM5225165B-75/A6/B6
HM5225805B-75/A6/B6
HM5225405B-75/A6/B6
256M LVTTL interface SDRAM
133 MHz/100 MHz
4-Mword
×
16-bit
×
4-bank/8-Mword
×
8-bit
×
4-bank
/16-Mword
×
4-bit
×
4-bank
PC/133, PC/100 SDRAM
E0082H10 (1st edition)
(Previous ADE-203-1073B (Z))
Jan. 31, 2001
Description
The HM5225165B is a 256-Mbit SDRAM organized as 4194304-word
×
16-bit
×
4 bank. The HM5225805B
is a 256-Mbit SDRAM organized as 8388608-word
×
8-bit
×
4 bank. The HM5225405B is a 256-Mbit
SDRAM organized as 16777216-word
×
4-bit
×
4 bank. All inputs and outputs are referred to the rising edge
of the clock input. It is packaged in standard 54-pin plastic TSOP II.
Features
3.3 V power supply
Clock frequency: 133 MHz/100 MHz (max)
LVTTL interface
Single pulsed
RAS
4 banks can operate simultaneously and independently
Burst read/write operation and burst read/single write operation capability
Programmable burst length: 1/2/4/8
2 variations of burst sequence
Sequential (BL = 1/2/4/8)
Interleave (BL = 1/2/4/8)
Programmable
CAS
latency: 2/3
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HM5225405BLTT-A6 POT 5K OHM 9MM HORZ NO BUSHING
HM5225805B-B6 256M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank /16-Mword 】 4-bit 】 4-bank PC/133, PC/100 SDRAM
HM5225805BLTT-75 256M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank /16-Mword 】 4-bit 】 4-bank PC/133, PC/100 SDRAM
HM5225165B 256M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank /16-Mword 】 4-bit 】 4-bank PC/133, PC/100 SDRAM
HM5225165B-75 Ultra-High-Precision SOT23 Series Voltage Reference
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參數(shù)描述
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