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參數(shù)資料
| 型號： | HM5165805FTT |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 64 MEDO DRAM (8-Mword X 8-bit) 8 k Refresh/4 k Refresh |
| 中文描述： | 64目等內(nèi)存（8 Mword × 8位）8畝刷新/ 4畝刷新 |
| 文件頁數(shù)： | 2/35頁 |
| 文件大?。?/td> | 490K |
| 代理商： | HM5165805FTT |
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HM5164805F Series, HM5165805F Series
2
4 variations of refresh
RAS
-only refresh
CAS
-before-
RAS
refresh
Hidden refresh
Self refresh (L-version)
Battery backup operation (L-version)
Ordering Information
Type No.
Access time
Package
HM5164805FJ-5
HM5164805FJ-6
50 ns
60 ns
400-mil 32-pin plastic SOJ
(CP-32DC)
HM5164805FLJ-5
HM5164805FLJ-6
50 ns
60 ns
HM5165805FJ-5
HM5165805FJ-6
50 ns
60 ns
HM5165805FLJ-5
HM5165805FLJ-6
50 ns
60 ns
HM5164805FTT-5
HM5164805FTT-6
50 ns
60 ns
400-mil 32-pin plastic TSOP II
(TTP-32DC)
HM5164805FLTT-5
HM5164805FLTT-6
50 ns
60 ns
HM5165805FTT-5
HM5165805FTT-6
50 ns
60 ns
HM5165805FLTT-5
HM5165805FLTT-6
50 ns
60 ns
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HM5164805F | 64 M EDO（Extended Data Output） DRAM(64M 擴展數(shù)據(jù)輸出模式動態(tài)RAM) |
| HM51W16165LJ-5 | 16 M EDO DRAM (1-Mword 16-bit) 4 k Refresh/1 k Refresh |
| HM51W18165LJ-5 | 16 M EDO DRAM (1-Mword 16-bit) 4 k Refresh/1 k Refresh |
| HM51W16165LJ-6 | 16 M EDO DRAM (1-Mword 16-bit) 4 k Refresh/1 k Refresh |
| HM51W18165LJ-6 | 16 M EDO DRAM (1-Mword 16-bit) 4 k Refresh/1 k Refresh |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HM51680J | 制造商:TT Electronics / BI Technologies 功能描述:Ind Power Wirewound 68uH 5% 1KHz 3.3A AXL |
| HM51-680J | 制造商:BI Technologies (TT electronics) 功能描述:Ind Power Wirewound 68uH 5% 1KHz 3.3A AXL |
| HM51-680JLF | 制造商:BITECH 制造商全稱:Bi technologies 功能描述:Axially Leaded Miniature Power Inductors |
| HM51680K | 制造商:TT Electronics / BI Technologies 功能描述:Ind Power Wirewound 68uH 10% 1KHz 3.3A AXL |
| HM51-680K | 制造商:BI Technologies (TT electronics) 功能描述:Ind Power Wirewound 68uH 10% 1KHz 3.3A AXL |
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