- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄370618 > HM5164165FJ-6 (Hitachi,Ltd.) 64M EDO DRAM (4-Mword x 16-bit) 8k refresh/4k refresh PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | HM5164165FJ-6 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 64M EDO DRAM (4-Mword x 16-bit) 8k refresh/4k refresh |
| 中文描述： | 6400 EDO公司的DRAM（4 Mword x 16位）8K的refresh/4k刷新 |
| 文件頁數(shù)： | 37/37頁 |
| 文件大?。?/td> | 510K |
| 代理商： | HM5164165FJ-6 |
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HM5164165F Series, HM5165165F Series
37
Revision Record
Rev.
Date
Contents of Modification
Drawn by
Approved by
0.0
May. 25, 1999
Initial issue
M. Kawamura
M. Mishima
1.0
Oct. 5, 1999
Features: Change of Power dissipation
Standby (L-version) max: TBD to 1.1 mW
DC Characteristics
I
CC2
(L-version) max: TBD/TBD to 300/300
μ
A
I
CC10
(L-version) max: TBD/TBD to 1/1 mA
I
CC11
(L-version) max: TBD/TBD to 500/500
μ
A
DC Characteristics
I
CC10
(L-version) max: 1/1 mA to 1.2/1.2 mA
M. Kawamura
Y. Kasama
2.0
Nov. 30, 1999
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HM5164165FLJ-5 | 64M EDO DRAM (4-Mword x 16-bit) 8k refresh/4k refresh |
| HM5164165FLJ-6 | 64M EDO DRAM (4-Mword x 16-bit) 8k refresh/4k refresh |
| HM5164165FTT-5 | 64M EDO DRAM (4-Mword x 16-bit) 8k refresh/4k refresh |
| HM5165165FTT-5 | 64M EDO DRAM (4-Mword x 16-bit) 8k refresh/4k refresh |
| HM5164165FTT-6 | 64M EDO DRAM (4-Mword x 16-bit) 8k refresh/4k refresh |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HM5165165FTT-60 | 制造商:Hitachi 功能描述: |
| HM51680J | 制造商:TT Electronics / BI Technologies 功能描述:Ind Power Wirewound 68uH 5% 1KHz 3.3A AXL |
| HM51-680J | 制造商:BI Technologies (TT electronics) 功能描述:Ind Power Wirewound 68uH 5% 1KHz 3.3A AXL |
| HM51-680JLF | 制造商:BITECH 制造商全稱:Bi technologies 功能描述:Axially Leaded Miniature Power Inductors |
| HM51680K | 制造商:TT Electronics / BI Technologies 功能描述:Ind Power Wirewound 68uH 10% 1KHz 3.3A AXL |
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