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參數(shù)資料
| 型號： | HM5113165F |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 128M EDO DRAM(128M 擴展數(shù)據(jù)輸出模式動態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 128M的內存江戶（128M的擴展數(shù)據(jù)輸出模式動態(tài)內存） |
| 文件頁數(shù)： | 6/32頁 |
| 文件大?。?/td> | 461K |
| 代理商： | HM5113165F |
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HM5113165F Series
6
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Value
Unit
Terminal voltage on any pin relative to V
SS
Power supply voltage relative to V
SS
Short circuit output current
V
T
V
CC
Iout
–0.5 to V
CC
+ 0.5 (
≤
4.6 V (max))
–0.5 to +4.6
V
V
50
mA
Power dissipation
P
T
Tstg
1.0
W
Storage temperature
–55 to +125
°
C
DC Operating Conditions
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Notes
Supply voltage
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
Ta
3.0
3.3
3.6
V
1, 2
0
0
0
V
2
Input high voltage
2.0
—
V
CC
+ 0.3
0.8
V
1
Input low voltage
–0.3
—
V
1
Ambient temperature range
Notes: 1. All voltage referred to V
SS
.
2. The supply voltage with all V
CC
pins must be on the same level. The supply voltage with all V
SS
pins
must be on the same level.
0
—
70
C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HM5116100 | 16M FP DRAM (16-Mword x 1-bit) 4k Refresh |
| HM5116100S | 16M FP DRAM (16-Mword x 1-bit) 4k Refresh |
| HM5116100S-6 | 16M FP DRAM (16-Mword x 1-bit) 4k Refresh |
| HM5116100S-7 | 16M FP DRAM (16-Mword x 1-bit) 4k Refresh |
| HM5117805J-5 | 16M EDO DRAM(2-Mword*8-bit) 2k Refresh |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HM5113165FLTD-6 | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:128M EDO DRAM (8-Mword × 16-bit) 4k refresh |
| HM5113165FTD-6 | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:128M EDO DRAM (8-Mword × 16-bit) 4k refresh |
| HM5113165LTD-6 | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:128M EDO DRAM (8-Mword × 16-bit) 4k refresh |
| HM5113805F-6 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:128M EDO DRAM (16-Mword x 8-bit) 8k refresh/4k refresh |
| HM5113805FLTD-6 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:128M EDO DRAM (16-Mword x 8-bit) 8k refresh/4k refresh |
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