參數(shù)資料
型號： HGTP7N60A4
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 600V, SMPS Series N-Channel IGBT
中文描述： 34 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB
封裝： TO-220AB, 3 PIN
文件頁數(shù)： 6/11頁
文件大小： 168K
代理商： HGTP7N60A4
2-6
FIGURE 17. CAPACITANCE vs COLLECTOR TO EMITTER
VOLTAGE
FIGURE 18. COLLECTOR TO EMITTER ON-STATE VOLTAGE
vs GATE TO EMITTER VOLTAGE
FIGURE 19. IGBT NORMALIZED TRANSIENT THERMAL RESPONSE, JUNCTION TO CASE
Test Circuit and Waveforms
FIGURE 20. INDUCTIVE SWITCHING TEST CIRCUIT
FIGURE 21. SWITCHING TEST WAVEFORMS
Typical Performance Curves
Unless Otherwise Specified
(Continued)
V
CE
, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE (V)
C
0
20
40
60
80
100
0
0.2
0.6
0.8
1.4
0.4
FREQUENCY = 1MHz
C
IES
C
OES
C
RES
1.2
1.0
V
GE
, GATE TO EMITTER VOLTAGE (V)
9
1.8
10
12
2.0
2.4
2.2
11
13
14
15
16
2.6
2.8
V
C
,
I
CE
= 14A
I
CE
= 7A
I
CE
= 3.5A
DUTY CYCLE < 0.5%, T
J
= 25
o
C
PULSE DURATION = 250
μ
s,
t
1
, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
Z
θ
J
,
10
-2
10
-1
10
0
10
-5
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-4
t
1
t
2
P
D
DUTY FACTOR, D = t
1
/ t
2
PEAK T
J
= (P
D
X Z
θ
JC
X R
θ
JC
) + T
C
SINGLE PULSE
0.1
0.2
0.5
0.05
0.01
0.02
R
G
= 25
L = 1mH
V
DD
= 390V
+
-
RHRP660
t
fI
t
d(OFF)I
t
rI
t
d(ON)I
10%
90%
10%
90%
V
CE
I
CE
V
GE
E
OFF
E
ON2
HGTD7N60A4S, HGT1S7N60A4S, HGTG7N60A4, HGTP7N60A4
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HGTP7N60C3 3.3V 72-mc CPLD
HGTH12N50C1 Aluminum Electrolytic Radial Leaded General Purpose Capacitor; Capacitance: 1000uF; Voltage: 25V; Case Size: 10x20 mm; Packaging: Bulk
HGTH12N50E1 10A, 12A, 400V and 500V N-Channel IGBTs
HGTH12N40C1 10A, 12A, 400V and 500V N-Channel IGBTs
HGTH12N40E1 10A, 12A, 400V and 500V N-Channel IGBTs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HGTP7N60A4_NL 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
HGTP7N60A4D 功能描述:IGBT 晶體管 600V N-Ch IGBT SMPS Series HF RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
HGTP7N60A4NL 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
HGTP7N60B3 制造商:Harris Corporation 功能描述:
HGTP7N60B3D 功能描述:IGBT 晶體管 PWR IGBT 14A 600V N-CHANNEL RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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