參數資料
型號： HGTP5N120CNS9A
英文描述： TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 25A I(C) | TO-263AB
中文描述： 晶體管| IGBT的|正陳| 1.2KV五（巴西）國際消費電子展|第25A一（c）|至263AB
文件頁數： 6/7頁
文件大?。?/td> 89K
代理商： HGTP5N120CNS9A
6
FIGURE 15. CAPACITANCE vs COLLECTOR TO EMITTER
VOLTAGE
FIGURE 16. COLLECTOR TO EMITTER ON-STATE VOLTAGE
FIGURE 17. NORMALIZED TRANSIENT THERMAL RESPONSE, JUNCTION TO CASE
FIGURE 18. DIODE FORWARD CURRENT vs FORWARD
VOLTAGE DROP
FIGURE 19. RECOVERY TIMES vs FORWARD CURRENT
Typical Performance Curves
Unless Otherwise Specified
(Continued)
V
CE
, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE (V)
0
5
10
15
20
25
0
0.5
C
IES
C
OES
1.0
C
RES
FREQUENCY = 1MHz
C
1.5
2.0
I
C
,
V
CE
, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE (V)
0
0.5
1.0
DUTY CYCLE < 0.5%, T
C
= 110
o
C
PULSE DURATION = 250
μ
s
V
GE
= 15V
V
GE
= 10V
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
0
2
4
6
8
10
t
1
, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
Z
θ
J
,
10
-2
10
-1
10
0
10
-5
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
-4
DUTY FACTOR, D = t
1
/ t
2
PEAK T
J
= (P
D
x Z
θ
JC
x R
θ
JC
) + T
C
SINGLE PULSE
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
t
1
t
2
P
D
1
10
100
0
1
2
3
4
5
6
7
8
I
F
,
V
F
, FORWARD VOLTAGE (V)
150
o
C
-55
o
C
25
o
C
60
50
40
30
20
10
0
1
2
3
4
5
6
7
I
F
, FORWARD CURRENT (A)
t
T
C
= 25
o
C, dl
EC
/ dt = 200A/
μ
s
t
rr
t
a
t
b
HGTG5N120BND, HGTP5N120BND, HGT1S5N120BNDS
相關PDF資料
PDF描述
HGT1S5N120BNDS 21A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBTs with Anti-Parallel Hyperfast Diodes(21A, 1200V,NPT系列N溝道絕緣柵雙極型晶體管)
HGTG5N120BND 21A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBTs with Anti-Parallel Hyperfast Diodes(21A, 1200V,NPT系列N溝道絕緣柵雙極型晶體管)
HGTP5N120BND 21A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBTs with Anti-Parallel Hyperfast Diodes(21A, 1200V,NPT系列N溝道絕緣柵雙極型晶體管)
HGTP5N120 21A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBTs with Anti-Parallel Hyperfast Diodes
HGTP5N120BND 3.3V 72-mc CPLD
相關代理商/技術參數
參數描述
HGTP6N40E1D 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Harris Corporation 功能描述:
HGTP6N40EID 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Harris Corporation 功能描述:
HGTP7N60A4 功能描述:IGBT 晶體管 600V N-Channel IGBT SMPS Series RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
HGTP7N60A4_NL 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
HGTP7N60A4D 功能描述:IGBT 晶體管 600V N-Ch IGBT SMPS Series HF RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯系方式

*
*
*