參數(shù)資料
型號(hào)： HGTG7N60A4
廠商： INTERSIL CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 600V, SMPS Series N-Channel IGBT
中文描述： 34 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
文件頁(yè)數(shù)： 6/11頁(yè)
文件大小： 168K
代理商： HGTG7N60A4
2-6
FIGURE 17. CAPACITANCE vs COLLECTOR TO EMITTER
VOLTAGE
FIGURE 18. COLLECTOR TO EMITTER ON-STATE VOLTAGE
vs GATE TO EMITTER VOLTAGE
FIGURE 19. IGBT NORMALIZED TRANSIENT THERMAL RESPONSE, JUNCTION TO CASE
Test Circuit and Waveforms
FIGURE 20. INDUCTIVE SWITCHING TEST CIRCUIT
FIGURE 21. SWITCHING TEST WAVEFORMS
Typical Performance Curves
Unless Otherwise Specified
(Continued)
V
CE
, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE (V)
C
0
20
40
60
80
100
0
0.2
0.6
0.8
1.4
0.4
FREQUENCY = 1MHz
C
IES
C
OES
C
RES
1.2
1.0
V
GE
, GATE TO EMITTER VOLTAGE (V)
9
1.8
10
12
2.0
2.4
2.2
11
13
14
15
16
2.6
2.8
V
C
,
I
CE
= 14A
I
CE
= 7A
I
CE
= 3.5A
DUTY CYCLE < 0.5%, T
J
= 25
o
C
PULSE DURATION = 250
μ
s,
t
1
, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
Z
θ
J
,
10
-2
10
-1
10
0
10
-5
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-4
t
1
t
2
P
D
DUTY FACTOR, D = t
1
/ t
2
PEAK T
J
= (P
D
X Z
θ
JC
X R
θ
JC
) + T
C
SINGLE PULSE
0.1
0.2
0.5
0.05
0.01
0.02
R
G
= 25
L = 1mH
V
DD
= 390V
+
-
RHRP660
t
fI
t
d(OFF)I
t
rI
t
d(ON)I
10%
90%
10%
90%
V
CE
I
CE
V
GE
E
OFF
E
ON2
HGTD7N60A4S, HGT1S7N60A4S, HGTG7N60A4, HGTP7N60A4
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HGT1S7N60A4S 600V, SMPS Series N-Channel IGBT
HGTP7N60A4 600V, SMPS Series N-Channel IGBT
HGTP7N60B3 72 MACROCELL 3.3 VOLT ISP CPLD
HGTP7N60C3 3.3V 72-mc CPLD
HGTD7N60A4S 600V, SMPS Series N-Channel IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HGTG7N60A4D 功能描述:IGBT 晶體管 600V N-Ch IGBT SMPS Series HF RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
HGTG7N60A4D 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:IGBT N TO-247
HGTG7N60A4D_05 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
HGTG7N60A4D_Q 功能描述:IGBT 晶體管 600V N-Ch IGBT SMPS Series HF RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
HGTH12N40C1 制造商:INTERSIL 制造商全稱:Intersil Corporation 功能描述:10A, 12A, 400V and 500V N-Channel IGBTs
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