參數(shù)資料
型號: HCT790
英文描述: TRANSISTOR | BJT | PAIR | PNP | 60V V(BR)CEO | 600MA I(C) | LLCC
中文描述: 晶體管|晶體管|一對|進(jìn)步黨| 60V的五(巴西)總裁| 600毫安一(c)| LLCC
文件頁數(shù): 2/2頁
文件大?。?/td> 142K
代理商: HCT790
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HDC15F3S60T0/AA 15 CONTACT(S), FEMALE, D SUBMINIATURE CONNECTOR, SOLDER
HDC15F5R70T0/AA 15 CONTACT(S), FEMALE, D SUBMINIATURE CONNECTOR, SOLDER
HDC15M5R70T0/AA 15 CONTACT(S), MALE, D SUBMINIATURE CONNECTOR, SOLDER
HDC25F3S6000 25 CONTACT(S), FEMALE, D SUBMINIATURE CONNECTOR, SOLDER
HDC25F3S60T0/AA 25 CONTACT(S), FEMALE, D SUBMINIATURE CONNECTOR, SOLDER
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HCT80 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Optoelectronic
HCT800 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | COMPLEMENTARY | 150V V(BR)DSS | 750MA I(D) | LLCC
HCT801 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | PAIR | COMPLEMENTARY | 90V V(BR)DSS | LLCC
HCT802 功能描述:MOSFET DEM Mosfet RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
HCT802TX 功能描述:MOSFET DUAL ENHANCE HERMETIC SMD RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- FET 型:2 個 N 溝道(雙) FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR