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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HB56U432SB-5N |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4M X 32 EDO DRAM MODULE, 50 ns, SMA72 |
| 封裝： | SIP-72 |
| 文件頁數(shù)： | 5/25頁 |
| 文件大?。?/td> | 277K |
| 代理商： | HB56U432SB-5N |
HB56U832 Series, HB56U432 Series
13
Refresh Cycle
50 ns
60 ns
70 ns
Parameter
Symbol Min
Max
Min
Max
Min
Max
Unit
Notes
CAS setup time
(CBR refresh cycle)
t
CSR
5—
ns
CAS hold time
(CBR refresh cycle)
t
CHR
7
—
10
—
10
—
ns
WE setup time
(CBR refresh cycle)
t
WRP
0—
ns
WE hold time
(CBR refresh cycle)
t
WRH
7
—
10
—
10
—
ns
RAS precharge to CAS hold
time
t
RPC
5—
ns
EDO Page Mode Cycle
50 ns
60 ns
70 ns
Parameter
Symbol Min
Max
Min
Max
Min
Max
Unit
Notes
EDO page mode cycle time
t
HPC
20
—
25
—
30
—
ns
16
EDO page mode
RAS pulse
width
t
RASP
—
100000 —
100000 ns
14
Access time from
CAS
precharge
t
CPA
—
28
—
35
—
40
ns
7, 15
RAS hold time from CAS
precharge
t
CPRH
28
—
35
—
40
—
ns
Output data hold time from
CAS low
t
DOH
3
—
3
—
3
—
ns
7, 15
Read command hold time
from
CAS precharge
t
RCHC
28
—
35
—
40
—
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HBCC-471J-02 | 1 ELEMENT, 470 uH, FERRITE-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
| HBCC-1R2K-02 | 1 ELEMENT, 1.2 uH, FERRITE-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
| HBCC-1R2K-11 | 1 ELEMENT, 1.2 uH, FERRITE-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
| HBCC-221J-11 | 1 ELEMENT, 220 uH, FERRITE-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
| HBCC-221J-12 | 1 ELEMENT, 220 uH, FERRITE-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HB56U432SB-5NL | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x32 EDO Page Mode DRAM Module |
| HB56U432SB-6BN | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x32 EDO Page Mode DRAM Module |
| HB56U432SB-6N | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x32 EDO Page Mode DRAM Module |
| HB56U432SB-6NL | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x32 EDO Page Mode DRAM Module |
| HB56U432SB-7BN | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x32 EDO Page Mode DRAM Module |
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