- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄370429 > HB52E89EM (Hitachi,Ltd.) 64 MB Unbuffered SDRAM DIMM(64MB 未緩沖同步DRAM DIMM) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | HB52E89EM |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 64 MB Unbuffered SDRAM DIMM(64MB 未緩沖同步DRAM DIMM) |
| 中文描述： | 64 MB的無緩沖SDRAM的內(nèi)存（64MB的未緩沖同步的DRAM內(nèi)存） |
| 文件頁數(shù)： | 9/64頁 |
| 文件大小： | 2741K |
| 代理商： | HB52E89EM |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁當(dāng)前第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁
HB52E88EM-F, HB52E89EM-F, HB52E168EN-F, HB52E169EN-F
9
23
SDRAM cycle time
(2nd highest CE latency)
(-A6F) 10 ns
SDRAM cycle time
(2nd highest CE latency)
(-B6F) Undefined
SDRAM access from Clock
(2nd highest CE latency)
(-A6F) 6 ns
SDRAM access from Clock
(2nd highest CE latency)
(-B6F) Undefined
SDRAM cycle time
(3rd highest CE latency)
Undefined
SDRAM access from Clock
(3rd highest CE latency)
Undefined
Minimum row precharge time 0
Row active to row active min 0
RE to CE delay min
Minimum RE pulse width
Density of each bank on
module
(HB52E88EM/89EM)
(HB52E168EN/169EN)
1
0
1
0
0
0
0
0
A0
CL = 2
0
0
0
0
0
0
0
0
00
24
0
1
1
0
0
0
0
0
60
CL = 2
0
0
0
0
0
0
0
0
00
25
0
0
0
0
0
0
0
0
00
26
0
0
0
0
0
0
0
0
00
27
28
29
30
31
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
0
0
0
0
1
1
1
0
0
0
0
1
0
0
0
0
14
14
14
32
20 ns
20 ns
20 ns
50 ns
1 bank
64 M byte
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
10
10
2 bank
64 M byte
2.0 ns
32
Address and command
signal input setup time
Address and command
signal input hold time
Data signal input setup time
Data signal input hold time
Superset information
0
0
1
0
0
0
0
0
20
33
0
0
0
1
0
0
0
0
10
1.0 ns
34
35
36 to
61
62
63
0
0
0
0
0
0
1
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
20
10
00
2.0 ns
1.0 ns
Future use
SPD data revision code
Checksum for bytes 0 to 62
(HB52E88EM-A6F)
(HB52E88EM-B6F)
(HB52E89EM-A6F)
(HB52E89EM-B6F)
(HB52E168EN-A6F)
(HB52E168EN-B6F)
(HB52E169EN-A6F)
(HB52E169EN-B6F)
Manufacturer’s JEDEC ID
code
0
0
0
1
0
0
1
0
12
Rev.1.2A
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
1
0
1
1
1
1
0
1
1
0
1
1
0
1
0
0
1
1
1
1
1
1
0
0
0
0
1
05
03
17
15
06
04
18
16
07
5
3
23
21
6
4
24
22
HITACHI
64
Byte
No.
Function described
Bit7 Bit6 Bit5 Bit4 Bit3 Bit2 Bit1 Bit0 Hex value Comments
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HB52E169E12 | 128 MB Registered SDRAM DIMM(128 MB 寄存同步DRAM DIMM) |
| HB52E648EN | 512 MB Unbuffered SDRAM DIMM(512 MB 未緩沖同步DRAM DIMM) |
| HB52E649EN | 512 MB Unbuffered SDRAM DIMM(512 MB 未緩沖同步DRAM DIMM) |
| HB52E649E12 | THERMISTOR, NTC; Series:B575; Thermistor type:NTC; Resistance:10kR; Tolerance, resistance:+/-1%; Beta value:3450; Temperature, lower limit, beta value:0(degree C); Temperature, upper limit, beta value:100(degree C); Temp, op. RoHS Compliant: Yes |
| HB52E649E12-A6B | 512 MB Registered SDRAM DIMM 64-Mword 】 72-bit, 100 MHz Memory Bus, 1-Bank Module (18 pcs of 64 M 】 4 Components) PC100 SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HB52E89EM-B6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 SDRAM Module |
| HB52F168GB-75B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 SDRAM Module |
| HB52F168GB-75BL | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 SDRAM Module |
| HB52F168GB-B | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:128 MB Unbuffered SDRAM Micro DIMM 16-Mword × 64-bit, 133/100 MHz Memory Bus, 1-Bank Module (4 pcs of 16 M × 16 components) PC133/100 SDRAM |
| HB52F328DC-75B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 SDRAM Module |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。