參數(shù)資料
型號： HAT2244WP-EL-E
廠商： Renesas Technology Corp.
英文描述： Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
中文描述： 硅?通道功率MOS場效應(yīng)管電源開關(guān)
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 117K
代理商： HAT2244WP-EL-E
HAT2244WP
REJ03G1549-0400 Rev.4.00 Jun 13, 2007
Page 3 of 7
Main Characteristics
C
Case Temperature Tc (°C)
Power vs. Temperature Derating
40
30
20
10
0
50
100
150
200
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
D
D
Maximum Safe Operation Area
100
10
1
0.1
0.01
0.1 0.3
1
3
10
30
300 1000
100
1000
Ta = 25°C
1 shot Pulse
PW =
10 ms
10
μ
s
100
μ
s
Operation in
this area is
limited by R
DS(on)
DC Operation
Tc=25°C
1ms
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
D
D
Typical Output Characteristics
50
40
30
20
10
0
2
4
6
8
10
V
GS
= 2.5 V
10 V
Pulse Test
2.9 V
Gate to Source Voltage V
GS
(V)
D
D
Typical Transfer Characteristics
50
40
30
20
10
0
1
2
3
4
5
Tc = 75°C
25°C
–25°C
V
DS
= 10 V
Pulse Test
Gate to Source Voltage V
GS
(V)
D
D
Drain to Source Saturation Voltage vs.
Gate to Source Voltage
250
200
150
100
50
0
5
10
15
20
Pulse Test
I
D
= 10 A
2 A
5 A
Drain Current I
D
(A)
D
D
)
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Drain Current
20
10
2
5
1
1
10
100
100
50
V
GS
= 4.5 V
10 V
Pulse Test
2.7 V
3.1 V
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PDF描述
HAT2244WP Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
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參數(shù)描述
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