參數(shù)資料
型號(hào): HAT2240C-EL-E
廠(chǎng)商: Renesas Technology Corp.
英文描述: Silicon N Channel MOS FET Power Switching
中文描述: 硅?通道場(chǎng)效應(yīng)晶體管功率開(kāi)關(guān)
文件頁(yè)數(shù): 3/7頁(yè)
文件大?。?/td> 86K
代理商: HAT2240C-EL-E
HAT2240C
Rev.4.00 Apr 05, 2006 page 3 of 6
Main Characteristics
1.6
1.2
0.8
0.4
0
50
100
150
200
0
2
4
6
8
10
10
8
6
4
2
10
8
6
4
2
0
1
2
3
4
5
300
200
100
0
2
4
6
8
10
0.1
10
1
100
100
1000
10
400
1.6 V
1.7 V
1.8 V
2.2 V
2.5 V
1.9 V
1.5 V
2 V
2.1 V
10
100
0.1
1
0.01
0.001
0.01
0.1
1
10
100
P
Ambient
Temperature Ta (
°
C)
Power vs. Temperature Derating
Drain Source Voltage V
DS
(V)
D
D
Maximum Safe Operation Area
Test condition.
When using the glass epoxy board.
(FR4 40 x 40 x 1.6 mm)
When using the FR4 board.
1 shot pulse, Ta = 25°C
Operation in this area is
limited by R
DS(on)
D
D
D
D
Typical Output Characteristics
Typical Transfer Characteristics
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
Gate to Source Voltage V
GS
(V)
Gate to Source Voltage V
GS
(V)
Drain Current I
D
(A)
Drain to Source Saturation Voltage vs.
Gate to Source Voltage
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Drain Current
D
D
)
D
D
Pulse Test
1.3 A
0.5 A
I
D
= 2.5 A
2.5 V
Pulse Test
V
GS
= 4.5 V
V
DS
= 10 V
Pulse Test
Tc = 75°C
25°C
–25°C
Pulse Test
V
GS
= 0 V
10
μ
s
100
μ
s
Pw=10ms
DCOpeaion
10 V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HAT2244WP-EL-E Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
HAT2244WP Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
HAT2299WP Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
HAT3001F
HAT3004R
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參數(shù)描述
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