參數(shù)資料
型號(hào)： HAT2198R-EL-E
廠商： Renesas Technology Corp.
英文描述： Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
中文描述： 硅?通道功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管電源開關(guān)
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大?。?/td> 125K
代理商： HAT2198R-EL-E
HAT2198R
Rev.2.00, Oct.18.2004, page 5 of 7
Source to Drain Voltage V
SD
(V)
R
D
20
16
12
8
4
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
Pulse Test
5 V
V
GS
= 0,-5 V
10 V
20
16
12
8
4
25
50
75
100
125
150
0
Channel Temperature Tch (
°
C)
R
A
Maximum Avalanche Energy vs.
Channel Temperature Derating
I
AP
= 11 A
V
DD
= 15 V
duty < 0.1 %
Rg > 50
Pulse Width PW (s)
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
N
γ
s
10
μ
100
μ
1 m
10 m
100 m
1
10
100
1000
10000
10
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
1shot puse
DM
P
PW
T
D =PW
T
θ
ch - f(t) =
γ
s (t) x
θ
ch - f
θ
ch - f = 83.3
°
C/W, Ta = 25
°
C
When using the glass epoxy board
(FR4 40 x 40 x 1.6 mm)
D = 1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
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PDF描述
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