參數(shù)資料
型號(hào)： HAT2179R
廠商： Renesas Technology Corp.
英文描述： Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
中文描述： 硅?通道場(chǎng)效應(yīng)晶體管高速電源開(kāi)關(guān)
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大?。?/td> 91K
代理商： HAT2179R
HAT2179R
REJ03G1570-0100 Rev.1.00 Jul 06, 2007
Page 2 of 3
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
V
(BR)DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS(off)
|yfs|
R
DS(on)
Min
600
—
—
3.0
0.8
—
Typ
—
—
—
—
1.2
3.5
Max
—
1
±
0.1
5.0
—
4.5
Unit
V
μ
A
μ
A
V
S
Test conditions
I
D
= 10 mA, V
GS
= 0
V
DS
= 600 V, V
GS
= 0
V
GS
=
±
30 V, V
DS
= 0
V
DS
= 10 V, I
D
= 1 mA
I
D
= 0.4 A, V
DS
= 10 V
Note3
I
D
= 0.4 A, V
GS
= 10 V
Note3
Drain to source breakdown voltage
Zero gate voltage drain current
Gate to source leak current
Gate to source cutoff voltage
Forward transfer admittance
Static drain to source on state
resistance
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
Total gate charge
Gate to source charge
Gate to drain charge
Body-drain diode forward voltage
Body-drain diode reverse
recovery time
Notes: 3. Pulse test
Ciss
Coss
Crss
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Qg
Qgs
Qgd
V
DF
t
rr
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
280
31
3.8
24
15
50
58
10
1.6
5.4
0.8
200
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
1.2
—
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
ns
V
DS
= 25 V
V
GS
= 0
f = 1 MHz
I
D
= 0.4 A
V
GS
= 10 V
R
L
= 750
Rg = 10
V
DD
= 480 V
V
GS
= 10 V
I
D
= 0.7 A
I
F
= 0.7 A, V
GS
= 0
Note3
I
F
= 0.7 A, V
GS
= 0
di
F
/dt = 100 A/
μ
s
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PDF描述
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