參數(shù)資料
型號： HAT2173H-EL-E
廠商： Renesas Technology Corp.
英文描述： Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
中文描述： 硅?通道功率MOS場效應管電源開關
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大?。?/td> 94K
代理商： HAT2173H-EL-E
HAT2173H
Rev.2.00 Sep 26, 2005 page 4 of 7
Case Temperature Tc (
°
C)
S
D
)
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Temperature
F
Drain Current I
D
(A)
Forward Transfer Admittance vs.
Drain Current
Reverse Drain Current I
DR
(A)
R
Body-Drain Diode Reverse
Recovery Time
C
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
Typical Capacitance vs.
Drain to Source Voltage
Drain Current I
D
(A)
S
Switching Characteristics
Gate Charge Qg (nc)
D
D
G
G
Dynamic Input Characteristics
3
30
0.1
1
10
100
0.3
10
1000
100
30
300
1
0.3
3
0.1
Tc = -25
°
C
V
DS
= 10 V
Pulse Test
75
°
C
25
°
C
50
40
30
20
10
-25
0
25
50
75
100 125 150
0
I
D
= 5 A, 10 A, 20 A
5 A, 10 A, 20 A
V
GS
= 8 V
10 V
Pulse Test
0
10
20
50
30
40
10000
3000
1000
300
100
30
10
Ciss
Coss
Crss
V
GS
= 0
f = 1 MHz
250
150
100
50
0
20
200
16
12
8
4
20
40
60
80
100
0
I
D
= 25 A
V
GS
V
DS
V
DD
= 100 V
50 V
25 V
V
DD
= 100 V
50 V
25 V
0.1
0.3
1
3
10
30
100
100
20
50
10
di / dt = 100 A /
μ
s
V
GS
= 0, Ta = 25
°
C
100
300
30
10
0.1 0.2
2
10
100
20
1
0.5
5
1000
50
3
1
V
GS
= 10 V, V
DS
= 10 V
Rg = 4.7
, duty
≤
1 %
tr
td(on)
td(off)
tf
相關PDF資料
PDF描述
HAT2179R Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
HAT2179R-EL-E Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
HAT2195R Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
HAT2197R Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
HAT2198R Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
HAT2173N 功能描述:MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK-I RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
HAT2173N-EL-E 功能描述:MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK-I RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
HAT2174H 功能描述:MOSFET N-CH 100V 20A 5LFPAK RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
HAT2174H-EL-E 功能描述:MOSFET N-CH 100V 20A 5LFPAK RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
HAT2174N 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*