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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HAT2164H |
| 廠商： | Renesas Technology Corp. |
| 英文描述： | Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
| 中文描述： | 硅?通道功率MOS場效應(yīng)管電源開關(guān) |
| 文件頁數(shù)： | 4/10頁 |
| 文件大小： | 80K |
| 代理商： | HAT2164H |
HAT2164H
Rev.4.00, Apr.09.2003, page 4 of 10
Main Characteristics
C
Case Temperature Tc (
°
C)
Power vs. Temperature Derating
Drain to Source Voltage V (V)
D
D
Typical Output Characteristics
Gate to Source Voltage V (V)
GS
D
D
Typical Transfer Characteristics
100
80
60
40
20
0
2
4
6
8
10
100
80
60
40
20
0
1
2
3
4
5
Tc = 75
°
C
25
°
C
-25
°
C
40
30
20
10
0
50
100
150
200
V = 10 V
Pulse Test
V = 2.4 V
10 V
4 V
2.6 V
2.8 V
3.0 V
3.2 V
Pulse Test
Drain to Source Voltage V (V)
D
D
Maximum Safe Operation Area
100
10
1
0.1
0.01
0.1
0.3
1
3
10
30
100
500
Tc = 25
°
C
1 shot Pulse
PW=10ms
10
μ
s
100
μ
s
Operation in
this area is
limited by R
DS(on)
DCOperaion
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HAT2165H | Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
| HAT2165N | Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
| HAT2166H | Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
| HAT2167H | Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
| HAT2167H-EL-E | Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| HAT2165H | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 55A LFPAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| HAT2165H_05 | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
| HAT2165H-E | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 55A 5PIN LFPAK - Tape and Reel |
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