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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HAT2114RJ |
| 廠商： | Renesas Technology Corp. |
| 英文描述： | Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching |
| 中文描述： | 硅?通道功率MOS FET的高速電源開(kāi)關(guān) |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 8/10頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 118K |
| 代理商： | HAT2114RJ |
HAT2114R, HAT2114RJ
Rev.1.00, Oct.06.2003, page 8 of 9
D = 1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
1sho puse
D = 1
0.5
0.05
0.02
0.01
1sho puse
10
μ
100
μ
1 m
10 m
100 m
Pulse Width PW (S)
1
10
N
γ
s
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width (1 Drive Operation)
100
1000
10000
10
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
DM
P
PW
T
D =PW
T
θ
ch-f(t) =
γ
s (t)
θ
ch - f
θ
ch-f = 125
°
C/W, Ta = 25
°
C
When using the glass epoxy board
(FR4 40x40x1.6mm)
10
μ
100
μ
1 m
10 m
100 m
Pulse Width PW (S)
1
10
N
γ
s
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width (2 Drive Operation)
100
1000
10000
10
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
DM
P
PW
T
D =T
θ
ch-f(t) =
γ
s (t)
θ
ch - f
θ
ch-f = 166
°
C/W, Ta = 25
°
C
When using the glass epoxy board
(FR4 40x40x1.6mm)
0.2
0.1
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PDF描述 |
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