參數(shù)資料
型號(hào)： HAT1126RJ-EL-E
廠商： Renesas Technology Corp.
英文描述： Silicon P Channel Power MOS FET High Speed Power Switching
中文描述： 硅P通道功率MOS FET的高速電源開關(guān)
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大?。?/td> 121K
代理商： HAT1126RJ-EL-E
HAT1126R, HAT1126RJ
Rev.1.00 Sep. 10, 2004, page 5 of 7
–10
–8
–6
–4
–2
0
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
–2.0
Pulse Test
V
GS
= 0, 5 V
–10 V
–5 V
Source to Drain Voltage
V
SD
(V)
R
D
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
Pulse Width PW (S)
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width (1 Drive Operation)
N
γ
s
10
μ
100
μ
1 m
10 m
100 m
1
10
100
1000
10000
10000
10
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
D = 1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
1shot puse
DM
P
PW
T
D =T
θ
ch – f(t) =
γ
s (t)
θ
ch – f
θ
ch – f = 125
°
C/W, Ta = 25
°
C
When using the glass epoxy board
(FR4 40
×
40
×
1.6mm)
10
μ
100
μ
1 m
10 m
100 m
1
10
100
1000
Pulse Width PW (S)
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width (2 Drive Operation)
N
γ
s
10
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
D = 1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
1shot puse
DM
P
PW
T
D =T
θ
ch – f(t) =
γ
s (t)
θ
ch – f
θ
ch – f = 166
°
C/W, Ta = 25
°
C
When using the glass epoxy board
(FR4 40
×
40
×
1.6 mm)
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PDF描述
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