參數(shù)資料
型號(hào)： HAT1047RJ
廠商： Renesas Technology Corp.
英文描述： Silicon P Channel Power MOS FET High Speed Power Switching
中文描述： 硅P通道功率MOS FET的高速電源開關(guān)
文件頁數(shù)： 6/10頁
文件大?。?/td> 112K
代理商： HAT1047RJ
HAT1047R, HAT1047RJ
Rev.5.00, Aug.27.2003, page 6 of 9
-1
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20
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10
di / dt = 100 A /
μ
s
V = 0, Ta = 25
°
C
-20
-1
Reverse Drain Current I (A)
R
Body-Drain Diode Reverse
Recovery Time
C
Drain to Source Voltage V (V)
Typical Capacitance vs.
Drain to Source Voltage
Gate Charge Qg (nc)
D
D
G
G
Dynamic Input Characteristics
Drain Current I (A)
S
Switching Characteristics
V = -10 V, V = -10 V
PW = 5
μ
s, duty < 1 %
100
V = 0
f = 1 MHz
Ciss
Coss
Crss
I = -14 A
V
GS
V
DS
-0.5
-5
50
r
d(on)
t
d(off)
t
tf
30000
500
V = - 5 V
-10 V
-25 V
V = - 5 V
-10 V
-25 V
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PDF描述
HAT1055R Silicon P Channel Power MOS FET High Speed Power Switching
HAT1055RJ Silicon P Channel Power MOS FET High Speed Power Switching
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